L6747A

L6747A是ST意法半导体推出的一款高性能半桥栅极驱动器IC，采用紧凑的8-VFDFN封装，专为驱动N沟道功率MOSFET而设计。该器件内部集成了两个独立的同步驱动器，分别用于控制半桥拓扑中的高侧和低侧开关管，其核心架构优化了信号路径与功率级的隔离，确保了在高速开关应用中的稳定性和可靠性。其设计重点在于提供精确的时序控制和强大的驱动能力，以最大限度地降低开关损耗并提升系统效率。

该驱动器具备3.5A的峰值灌电流驱动能力，能够快速对MOSFET的栅极电容进行充放电，从而有效缩短开关转换时间，这对于高频开关电源和电机驱动应用至关重要。其工作电源电压范围宽达5V至12V，兼容常见的逻辑电平，而逻辑输入采用反相设计，阈值电压（VIL/VIH）分别为0.8V和2V，提供了良好的噪声容限。高压侧采用自举供电方式，其最大自举电压可达41V，使其能够灵活应用于多种电压等级的桥式电路中。用户可以通过可靠的ST代理渠道获取该产品的技术支持和供应信息。

在接口与参数方面，L6747A支持表面贴装，工作结温范围覆盖0°C至125°C，适用于工业级环境。其同步通道设计和半桥驱动配置简化了外部电路，减少了元件数量。虽然该器件目前已处于停产状态，但其在特定存量项目或对驱动性能有明确要求的系统中仍具参考价值。其紧凑的封装和强大的驱动特性，使其成为空间受限应用的理想选择之一。

L6747A典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的同步整流级、DC-DC转换器、以及各类电机驱动和逆变器系统。在这些应用中，其快速、强大的驱动能力有助于优化功率MOSFET的开关特性，提升整体能效和功率密度，尤其适合对开关速度和驱动强度有较高要求的工业与汽车电子领域。

• 型号:L6747A
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-VFDFPN（3x3）
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:5V ~ 12V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，-
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-VFDFPN（3x3）
• 想获取L6747A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

L6747A是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器IC，采用8-VFDFN表面贴装封装。该器件集成了两个同步驱动器，专为驱动N沟道MOSFET设计，提供高达3.5A的峰值灌电流输出，确保功率开关管的快速、可靠导通与关断。

其工作电压范围为5V至12V，高压侧支持最大41V的自举电压，逻辑输入为反相类型，具备0.8V和2V的明确阈值。这些参数使其成为高效率开关电源和电机驱动应用的理想驱动解决方案，能够在0°C至125°C的结温范围内稳定工作。