STP25N10F7

作为ST意法半导体旗下STripFET VII产品系列的一员，STP25N10F7是一款采用先进的DeepGATE技术构建的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通损耗与优异的开关性能平衡。该器件采用优化的单元结构和制造工艺，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时通过精心设计的栅极和内部布局，显著减少了寄生电容，为高效率的能量转换奠定了物理基础。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的电气性能上。它具备100V的漏源击穿电压（V_DSS）和在壳温（T_C）25°C下达25A的连续漏极电流能力，提供了宽裕的电压与电流设计余量。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压（V_GS）和12.5A漏极电流条件下，R_DS(on)最大值仅为35毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为14nC（@10V），结合920pF的输入电容（C_iss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，该器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±20V的栅源电压，增强了应用的鲁棒性。阈值电压V_GS(th)最大值为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，配合高达50W（T_C）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠运行。如需获取官方正品和技术支持，建议通过ST授权代理进行采购。

基于上述特性，STP25N10F7非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。它常被用于开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制、逆变器以及各类需要高效功率开关的工业控制和汽车电子系统中。其优异的性能使其成为中高功率、高频率开关应用的理想选择之一。

• 型号:STP25N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP25N10F7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP25N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用DeepGATE技术的STripFET VII系列。该器件核心参数包括100V的漏源电压（V_DSS）和25A（T_C）的连续漏极电流，为设计提供了坚实的功率处理基础。

其核心卖点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值低至35毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（14nC @10V）和输入电容确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率并降低驱动需求。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的优选器件。