LDL112DR

ST意法半导体推出的LDL112DR是一款高性能、低压差线性稳压器（LDO），采用紧凑的8引脚SOIC封装，专为需要高效、稳定电源轨的现代电子系统而设计。其核心架构基于先进的CMOS工艺，集成了高性能误差放大器、精密电压基准源以及低导通电阻的功率PMOS晶体管，这种设计在实现高达1.2A输出电流能力的同时，显著降低了芯片自身的功耗和压差。

该器件的一个突出特性是其极低的静态电流，典型值仅为70A，这对于电池供电的便携式设备而言至关重要，能够有效延长系统待机时间。其输出电压可通过外部电阻分压器在0.8V至4.9V范围内灵活调节，为设计提供了高度的灵活性。高达53dB的电源抑制比（PSRR @ 1kHz）确保了即使在输入电源存在噪声干扰的情况下，也能输出极为纯净、稳定的电压，这对于模拟前端、高精度ADC/DAC或射频模块的供电至关重要。此外，芯片集成了完善的保护功能，包括过流保护、过热关断以及反极性保护，极大地增强了系统的鲁棒性和可靠性，使其能够在-40°C至125°C的严苛结温范围内稳定工作。

在接口与电气参数方面，LDL112DR的输入电压最高可达5.5V，最大压差在1.2A满载输出时仅为0.6V，这意味着在3.3V或5V输入下，它仍能高效地提供稳定的低压输出。其“使能”控制引脚允许通过数字信号对稳压器进行开关控制，便于实现电源时序管理和低功耗模式。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品，确保原装正品和技术支持。

得益于其优异的性能组合，LDL112DR非常适合应用于对电源噪声敏感、空间受限且要求高效率的场景。典型应用包括由单节锂离子电池或5V适配器供电的便携式医疗设备、工业传感器、物联网节点、手持式测试仪表以及作为FPGA、微处理器和无线通信模块的二次稳压电源。其表面贴装型封装和卷带包装也完全适应自动化大规模生产的需求。

• 型号:LDL112DR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - 线性
• 描述:IC REG LIN POS ADJ 1.2A 8-SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 输出配置:正
• 输出类型:可调式
• 稳压器数:1
• 电压 - 输入（最大值）:5.5V
• 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V
• 电压 - 输出（最大值）:4.9V
• 电压降（最大值）:0.6V @ 1.2A
• 电流 - 输出:1.2A
• 电流 - 静态 (Iq):70 A
• 电流 - 供电（最大值）:400 A
• PSRR:53dB（1kHz）
• 控制特性:使能
• 保护功能:过流，超温，反向电流
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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LDL112DR是ST意法半导体推出的一款1.2A输出电流、可调输出的低压差线性稳压器。该器件采用8-SOIC封装，输入电压范围最高至5.5V，输出电压可通过外部电阻在0.8V至4.9V范围内精确设定，为各类低压数字与模拟电路提供灵活的电源解决方案。

其核心优势在于极低的静态功耗（典型70A）和出色的噪声抑制能力，在1kHz频率下提供高达53dB的电源抑制比（PSRR），确保为噪声敏感型负载提供洁净的电源。同时，芯片内置了过流、过热及反极性保护，工作结温范围覆盖-40°C至125°C，具备高可靠性和鲁棒性，适用于工业控制、便携式设备及汽车电子等领域的电源管理需求。