STD100NH02LT4

STD100NH02LT4是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关性能之间的平衡。其核心架构优化了单元密度和沟道设计，在紧凑的DPAK封装内实现了高达60A的连续漏极电流处理能力，同时将热阻控制在较低水平，确保了在高功率密度应用中的可靠散热。

该MOSFET的显著特性在于其优异的低导通电阻，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流条件下，其Rds(on)最大值仅为4.8毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷(Qg)典型值较低，结合适中的输入电容，使得器件具备快速的开关瞬态响应，有利于降低开关损耗，适用于高频开关电路。其栅源电压(Vgs)最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度，而阈值电压(Vgs(th))典型值较低，确保了在标准逻辑电平（如5V）下的良好导通能力。

在电气参数方面，STD100NH02LT4的漏源击穿电压(Vdss)为24V，适用于低压大电流场景。其结温(TJ)工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，结合表面贴装型DPAK封装提供的坚固机械结构和良好的热性能，使其能够适应严苛的环境要求。尽管该产品目前已处于停产状态，但在其生命周期内，通过正规的ST授权代理渠道，为众多设计提供了稳定的供应保障。其典型应用场景主要集中在需要高效率功率转换和控制的领域，例如计算机主板、显卡的VRM（电压调节模块）、服务器电源的同步整流阶段、低压DC-DC转换器，以及各类电机驱动和电池保护电路中的开关元件。

• 型号:STD100NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3940 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD100NH02LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)典型值仅为4.8毫欧 @ 10V, 30A）与高达60A的连续电流处理能力，这使其在传导损耗方面表现卓越。

其电气参数针对低压、大电流开关应用进行了优化，包括24V的漏源电压(Vdss)以及支持标准逻辑电平驱动的低阈值电压。尽管该型号目前已标记为停产，但其设计体现了在高频开关电源和功率管理电路中实现高效率与高功率密度的经典平衡。