STF10NK50Z

STF10NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用先进的垂直DMOS结构，通过优化的单元设计和制造工艺，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡，为高压开关应用提供了一个高效可靠的半导体解决方案。

该MOSFET的核心优势在于其500V的漏源击穿电压(Vdss)和9A的连续漏极电流(Id)能力，这使其能够从容应对离线式电源、电机驱动等场合中的高压应力和电流负载。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、4.5A电流条件下典型值仅为700毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，器件具有39.2nC的较低栅极电荷(Qg)和约1219pF的输入电容，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关速度，并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，STF10NK50Z的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4.5V，标准驱动电压为10V，最大栅源电压可承受±30V，提供了宽裕且安全的驱动窗口。其采用TO-220FP封装，这种通孔安装封装具有良好的机械强度和散热性能，最大功率耗散可达30W（基于壳温）。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和耐用性。对于需要获取官方技术支持和正品供应的设计者，可以通过授权的ST代理商进行咨询与采购。

基于其高压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适合应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、照明镇流器以及家用电器和工业设备中的电机驱动与控制系统。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它依然是一个经过市场验证的关键功率开关元件选择。

• 型号:STF10NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1219 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF10NK50Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心电气参数包括500V的漏源电压(Vdss)和9A的连续漏极电流(Id)，为高压应用提供了坚实的耐压和载流基础。

该器件的关键性能亮点在于其低导通电阻与优化的开关特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为700毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，39.2nC的栅极电荷(Qg)和较低的输入电容共同贡献了快速的开关速度和较低的驱动损耗，提升了系统整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境下的可靠性。