LDL112PV10R

LDL112PV10R是ST意法半导体推出的一款高性能低压差线性稳压器（LDO），采用先进的CMOS工艺和紧凑的6-VDFN封装，专为需要高精度、低噪声电源轨的现代电子系统而设计。其核心架构围绕一个高增益误差放大器和一个低导通电阻的PMOS调整管构建，配合精密的带隙基准电压源，实现了在宽输入电压和负载范围内的高度稳定输出。

该器件具备多项突出的功能特性。其1V的固定输出电压精度高，为微处理器内核、低电压逻辑电路或精密模拟前端提供了理想的电源解决方案。在满载1.2A输出时，其最大压差仅为0.6V，这意味着在输入电压低至1.6V时仍能维持稳定输出，显著提升了电源系统的效率和使用灵活性。其静态电流低至70A，有助于延长电池供电设备的续航时间。此外，高达57dB @ 1kHz的电源抑制比（PSRR）使其能有效滤除来自前级电源的开关噪声和纹波，为敏感的射频或高精度数据转换电路提供“清洁”的电源。

在接口与控制方面，LDL112PV10R提供了一个使能（EN）引脚，支持逻辑电平控制，便于实现电源时序管理和低功耗待机模式。其保护功能全面，集成了过流保护、过热关断以及反极性保护，确保了在异常工作条件下的系统可靠性。该器件支持-40°C至125°C的宽结温范围，并通过ST授权代理进行全球供应，确保了其在工业控制、汽车电子及消费类产品等严苛环境应用中的稳定供货和技术支持。其表面贴装型6-VDFN封装热阻低，有利于散热设计。

综合其参数与性能，LDL112PV10R非常适合应用于对电源质量和空间有严格要求的场景。例如，在便携式医疗设备中为其模拟传感器供电，在车载信息娱乐系统中为SOC或DDR内存提供核心电压，或作为FPGA、ASIC等数字芯片的后续级稳压，以隔离数字噪声。其高PSRR特性也使其成为射频功率放大器、压控振荡器等模拟射频模块的理想选择。

• 型号:LDL112PV10R
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:6-DFN（3x3）
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - 线性
• 描述:IC REG LINEAR 1V 1.2A 6-DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 输出配置:正
• 输出类型:固定
• 稳压器数:1
• 电压 - 输入（最大值）:5.5V
• 电压 - 输出（最小值/固定）:1V
• 电压 - 输出（最大值）:-
• 电压降（最大值）:0.6V @ 1.2A
• 电流 - 输出:1.2A
• 电流 - 静态 (Iq):70 A
• 电流 - 供电（最大值）:400 A
• PSRR:57dB（1kHz）
• 控制特性:使能
• 保护功能:过流，超温，反向电流
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:6-DFN（3x3）
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LDL112PV10R是ST意法半导体生产的一款1A级低压差线性稳压器，采用6-VDFN表面贴装封装，提供卷带或剪切带包装选项。该器件提供1V的固定输出电压，最大输出电流可达1.2A，输入电压范围最高至5.5V，在1.2A满载时典型压差仅为0.6V，有效降低了功率损耗。

其技术亮点包括极低的70A静态电流，有助于提升电池供电设备的能效；以及在1kHz频率下高达57dB的电源抑制比（PSRR），能显著抑制电源噪声。器件集成了使能控制功能，并具备过流、过热及反极性保护，工作结温范围为-40°C至125°C，确保了在苛刻环境下的高可靠性和设计灵活性。