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LMC6482IDT

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集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC CMOS 2 CIRCUIT 8SO
原厂封装:封装:8-SO
优势价格,LMC6482IDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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LMC6482IDT的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

LMC6482IDT是ST意法半导体推出的一款高性能双路CMOS运算放大器,采用先进的CMOS工艺制造,专为在宽电压范围内提供高精度、低功耗的信号调理而设计。该器件采用8-SOIC封装,支持表面贴装,适用于对空间和功耗有严格要求的现代电子系统。其核心架构基于精密的CMOS输入级和轨到轨输出级,确保了在单电源或双电源供电下,输入信号能够接近电源轨,而输出信号能够达到满摆幅,最大限度地扩展了动态范围。

该芯片的功能特点突出体现在其极低的输入偏置电流,典型值仅为1pA,这使其成为处理高阻抗传感器信号(如光电二极管、pH电极)的理想选择,能有效减少由输入偏置电流引起的误差。同时,其满摆幅(Rail-to-Rail)输出特性允许输出电压在供电电压的极低裕度内摆动,在低电压单电源系统中尤其有价值,可以充分利用有限的电源电压。其供电电压范围宽达2.7V至16V,工作温度覆盖-40°C至125°C的工业级范围,保证了在恶劣环境下的可靠性和稳定性。

在接口与关键参数方面,LMC6482IDT集成了两个独立的运算放大器电路,每个通道的静态电流仅为660A,整芯片功耗极低。其增益带宽积为2.7MHz,压摆率为1.4V/s,在保证足够带宽进行信号处理的同时,实现了功耗与性能的良好平衡。输入失调电压低至2mV,有助于提高直流精度。强大的输出驱动能力,每通道可提供高达30mA的电流,使其能够直接驱动中等负载。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术资料、样品及供应链支持。

基于上述特性,LMC6482IDT非常适合应用于便携式设备、电池供电的仪器仪表、传感器接口电路、有源滤波器和数据采集系统。其高输入阻抗和低偏置电流使其在光电检测、医疗仪器前端放大等场景中表现出色;而宽电源电压范围和轨到轨输出能力,则使其成为汽车电子、工业控制及消费类电子产品中信号调理模块的可靠选择。

  • 型号:LMC6482IDT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC CMOS 2 CIRCUIT 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:CMOS
  • 电路数:2
  • 输出类型:满摆幅
  • 压摆率:1.4V/s
  • 增益带宽积:2.7 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:1 pA
  • 电压 - 输入补偿:2 mV
  • 电流 - 供电:660A(x2 通道)
  • 电流 - 输出/通道:30 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):2.7 V
  • 电压 - 跨度(最大值):16 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 想获取LMC6482IDT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

LMC6482IDT是ST意法半导体生产的一款双路CMOS运算放大器,采用8-SOIC表面贴装封装。该器件核心优势在于其极低的输入偏置电流(1pA)和满摆幅输出特性,能够在2.7V至16V的宽电源电压范围内工作,非常适合处理高阻抗源信号并最大化低电压系统中的信号摆幅。

其技术参数针对低功耗和高精度应用进行了优化,每通道静态电流仅为660A,同时提供2.7MHz的增益带宽积和1.4V/s的压摆率,在信号保真度与能效间取得了良好平衡。此外,它具备30mA的输出驱动能力和-40°C至125°C的宽工作温度范围,确保了在工业、便携及汽车等严苛环境下的稳定性和驱动能力。

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