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LNBTVS3-220

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 20VWM 35VC DO201
原厂封装:封装:DO-201
优势价格,LNBTVS3-220的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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LNBTVS3-220的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

LNBTVS3-220是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,隶属于其LNBTVS产品系列。该器件采用经典的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护架构,其半导体结经过特殊工艺优化,能够在纳秒级时间内响应并吸收来自电源线、信号线或数据线的瞬态过电压能量,例如由静电放电(ESD)、感性负载切换或雷击感应引起的电压尖峰,从而为下游精密电路提供可靠的保护屏障。

该器件的一个显著功能特点是其出色的浪涌处理能力。其标称反向关断电压为20V,最小击穿电压为22V,能够在承受高达250A(8/20s波形)的峰值脉冲电流时,将箝位电压有效限制在最大值35V以内。这意味着它可以将一个破坏性的高压瞬态事件迅速“削峰”至一个安全的电压水平,防止敏感元器件受损。其峰值脉冲功率处理能力达到1500W(1.5kW),展现了强大的能量吸收和耗散性能,确保在严苛的电磁环境下也能稳定工作。对于需要可靠过压保护的通用型设计,通过专业的ST芯片代理获取此类器件是确保供应链稳定与产品可靠性的重要一环。

在接口与参数方面,LNBTVS3-220采用通孔安装方式,封装为标准的DO-201AA(DO-27,轴向引线),便于在PCB板上进行手工或波峰焊接,具有良好的机械强度和散热特性。其单向导通的特性决定了它适用于直流或具有明确极性之信号的保护场景,使用时需确保其阴极连接至受保护电路的正电压端。虽然该器件未集成专门的电源线路滤波器功能,且其工作温度范围等参数在标准规格书中未作特殊限定,但其通用型设计使其参数在常规工业与消费电子环境下具有广泛的适用性。

基于其通用型定位和稳健的参数性能,LNBTVS3-220非常适合应用于各种需要过压保护的电子设备中。典型的应用场景包括但不限于:交流-直流电源适配器的次级侧输出保护、车载电子设备的12V/24V电源端口防护、工业控制板的I/O接口或通信端口(如RS-232、RS-485)的浪涌抑制,以及消费电子产品中可能遭受ESD冲击的USB端口或按键接口的保护。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设计的维护、备件供应或对成本极其敏感且环境要求非极端的项目中,它仍然是一个经过验证的、高性价比的保护解决方案。

  • 型号:LNBTVS3-220
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-201
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 20VWM 35VC DO201
  • 包装:带盒(TB)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):20V
  • 电压 - 击穿(最小值):22V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):35V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):250A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向
  • 供应商器件封装:DO-201
  • 想获取LNBTVS3-220的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

LNBTVS3-220是ST意法半导体生产的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用DO-201AA轴向封装。其核心功能在于为20V左右工作电压的电路提供高效的过压保护。

该器件具备强大的瞬态能量吸收能力,其峰值脉冲功率高达1500W,在承受250A(8/20s)的大电流冲击时,能迅速将电压箝位在35V以下,有效保护后端精密元器件免受浪涌电压损坏。其22V的最小击穿电压与20V的反向关断电压为电路提供了明确的安全工作窗口。

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