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LNBTVS4-222S

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 20VWM 30VC SMC
原厂封装:封装:SMC
优势价格,LNBTVS4-222S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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LNBTVS4-222S的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

LNBTVS4-222S是意法半导体(STMicroelectronics)旗下LNBTVS系列的一款高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的TRANSIL技术构建。该器件采用单通道单向设计,核心架构基于优化的齐纳二极管原理,能够在纳秒级时间内响应并箝位过压瞬态,其表面贴装型SMC(DO-214AB)封装集成了大面积的硅片,确保了卓越的热管理和功率耗散能力,为紧凑的电路布局提供了可靠的保护解决方案。

该器件的功能特点突出,其反向断态电压典型值为20V,最小击穿电压为22V,能够在承受高达334A(8/20s波形)的峰值脉冲电流时,将箝位电压有效限制在30V最大值以内。这一特性使其具备强大的浪涌吸收能力,峰值脉冲功率高达22.5kW,为后级精密电路构筑了坚固的防线。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过ST中国代理获取正品器件与技术支持。

在接口与关键参数方面,LNBTVS4-222S设计用于通用型过压保护场景。它不具备特定的电源线路保护功能,这使其应用更加灵活,可广泛部署于信号线、数据线及I/O端口。其单向特性意味着它专门用于保护极性明确的直流线路,在正向浪涌时表现为低阻抗通路,在反向稳态时则呈现高阻态。表面贴装的SMC封装符合现代自动化生产要求,便于集成。

得益于其高功率处理能力和快速的响应速度,LNBTVS4-222S非常适合应用于工业自动化控制、通信设备、汽车电子模块以及消费类电子产品的电源端口或信号接口保护。它能够有效抑制由雷击感应、负载切换或静电放电(ESD)引起的瞬态过电压,防止敏感集成电路如微控制器、传感器或通信芯片遭受损坏,是提升系统电磁兼容性(EMC)和可靠性的关键元件。

  • 型号:LNBTVS4-222S
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SMC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 20VWM 30VC SMC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):20V
  • 电压 - 击穿(最小值):22V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):30V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):334A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:22500W(22.5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-214AB,SMC
  • 供应商器件封装:SMC
  • 想获取LNBTVS4-222S的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

LNBTVS4-222S是ST意法半导体推出的一款采用SMC封装的高功率TVS二极管,属于TRANSIL产品系列。该器件提供单向通道保护,其核心特性在于强大的浪涌抑制能力,能够在承受高达334A(8/20s)的峰值脉冲电流时,将电压箝位在30V以下,峰值脉冲功率达到22.5kW,为后级电路提供坚实的过压屏障。

该器件具有20V的反向断态电压和22V的最小击穿电压,工作温度范围宽广(-55°C ~ 150°C),确保了其在各种环境条件下的稳定运行。其表面贴装设计(DO-214AB,SMC)适用于高密度PCB布局,主要面向通用型应用,是保护工业、通信及汽车电子系统中直流线路和接口免受瞬态电压冲击的理想选择。

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