STFW6N120K3

STFW6N120K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，集成了卓越的电气隔离与散热性能，专为应对高压、高功率密度的应用环境而设计。其核心架构通过优化的单元结构和沟槽工艺，在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，实现了效率与可靠性的平衡。

该器件具备1200V的高漏源击穿电压（Vdss）与6A的连续漏极电流（Id）承载能力，使其能够在严苛的电压应力下稳定工作。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2.5A测试条件下典型值仅为2.4欧姆，配合仅34nC的低栅极电荷（Qg），共同带来了优异的开关性能，有助于降低开关损耗并提升系统整体效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，并支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕且安全的驱动设计窗口。

在接口与参数方面，STFW6N120K3在100V偏置下的输入电容（Ciss）最大值为1050pF。器件采用标准的通孔安装方式，便于在传统功率板上进行可靠的机械与电气连接。其最大功率耗散能力为63W（基于壳温Tc），结合ISOWATT封装优异的绝缘和导热特性，确保了在-55°C至150°C结温（TJ）范围内稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方授权的ST一级代理进行采购，以保障原厂正品与技术支持。

凭借其高压、低损耗的特性，这款MOSFET非常适用于工业电源、电机驱动、UPS（不间断电源）以及照明镇流器等需要高效功率转换的场合。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统的维护或特定长期供货项目中，它依然是一个经过市场验证的高性能选择，其设计理念和性能参数为后续器件的发展提供了重要参考。

• 型号:STFW6N120K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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STFW6N120K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，核心电气参数包括1200V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），具备处理高压大功率应用的能力。

其技术亮点在于通过优化的结构实现了低导通电阻（2.4欧姆 @ 10V, 2.5A）与低栅极电荷（34nC @ 10V）的良好结合，这有助于显著降低导通与开关损耗，提升电源系统的整体效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业环境。