STD3NK90ZT4

STD3NK90ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和工艺改进，在保持紧凑的DPAK封装尺寸的同时，实现了高达900V的漏源击穿电压（Vdss）。其内部架构旨在有效平衡导通电阻、开关速度和栅极电荷等关键参数，为高压开关应用提供了一个高效可靠的解决方案。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的高耐压与低导通损耗特性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3A，最大功率耗散可达90W。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.5A电流条件下典型值仅为4.8欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在22.7nC（@10V），结合590pF（@25V）的输入电容（Ciss），确保了较快的开关速度和较低的驱动损耗，有利于在高频开关电源设计中优化性能。

在电气接口与参数方面，STD3NK90ZT4的栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V（@50A），具备良好的噪声抑制能力。器件采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关技术支持。

凭借900V的高耐压和优化的动态特性，这款MOSFET非常适用于需要高压开关和高效能量转换的场合。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等。其稳健的设计使其成为对系统可靠性、能效和功率密度有较高要求的工业及消费类电力电子产品的理想选择。

• 型号:STD3NK90ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD3NK90ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用DPAK封装，核心额定参数为900V漏源电压（Vdss）和3A连续漏极电流，专为高压、高效开关应用而设计。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为4.8欧姆，同时栅极电荷（Qg）被优化至22.7nC，这共同实现了低导通损耗与快速开关性能的平衡。此外，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。

综上所述，STD3NK90ZT4凭借其高耐压、低损耗及稳健的封装特性，为开关电源、功率校正和工业控制等应用提供了一个高可靠性的功率开关解决方案。