STP50NE08

STP50NE08是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面型MOSFET技术，封装于经典的TO-220AB通孔封装中。其核心设计旨在实现高电流承载能力与低导通损耗的平衡，内部结构通过优化的单元密度和沟道设计，确保了在导通状态下具有极低的电阻特性。

该器件在10V栅极驱动电压下，能展现出优异的导通性能，其导通电阻（Rds(On)）在25A电流条件下典型值仅为24毫欧，这直接转化为更低的工作温升和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值为110nC，结合适中的输入电容，有助于简化驱动电路设计，并能在开关应用中实现较快的开关速度，减少开关损耗。高达50A的连续漏极电流（Tc）和80V的漏源击穿电压（Vdss），为其在严苛的电气环境中稳定运行提供了坚实基础。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了良好的抗干扰能力。

在接口与参数方面，该器件采用标准的三引脚TO-220AB封装，便于安装和散热处理。其最大结温（Tj）高达175°C，配合150W（Tc）的功率耗散能力，赋予了其出色的热可靠性。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术资料与供应链支持。关键电气参数如阈值电压Vgs(th)最大为4V，确保了明确的导通与关断逻辑控制。

凭借其高电流、中压和低导通电阻的特性，STP50NE08非常适用于需要高效功率切换和控制的领域。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制器（如电动工具、风扇驱动）、DC-DC转换器以及各类工业级功率开关和负载开关。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备和备件替换市场中，它依然是一个经过验证的可靠选择。

• 型号:STP50NE08
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP50NE08是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。其核心优势在于高电流处理能力和低导通损耗，在25°C壳温下可连续通过高达50A的电流，并具备80V的漏源电压耐受能力。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为24毫欧（@25A），这显著降低了导通状态下的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为110nC，有助于实现高效的开关操作。这些参数使其成为要求高效率和高可靠性的功率开关应用的理想选择。