STU5N95K5

STU5N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了超结（Super-Junction）效应，旨在为高电压开关应用提供卓越的效率与可靠性。其核心架构通过精密的单元布局和创新的电荷平衡技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg），从而在高压领域达成了低导通损耗与快速开关特性的理想平衡。

该器件具备950V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、照明系统等场合中常见的电压尖峰和浪涌，确保系统在恶劣电网环境下的稳定运行。其导通电阻在10V驱动电压、1.5A电流条件下典型值仅为2.5欧姆，结合极低的栅极电荷（典型值12.5nC），共同带来了优异的开关性能与低驱动损耗。这意味着在频繁开关的电路中，STU5N95K5不仅能有效降低导通状态的热损耗，还能最小化开关过渡过程中的能量损失，提升整体能效。

在接口与参数方面，该MOSFET采用标准的通孔I-PAK封装，便于在单面PCB上进行可靠的焊接与散热管理。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C下额定值为3.5A，最大允许栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽裕的安全设计余量。其输入电容（Ciss）在100V偏压下最大值为220pF，有助于简化栅极驱动电路的设计。器件支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，最大功率耗散能力为70W（Tc），展现了强大的鲁棒性。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的产品资料、样品及设计协助。

得益于其高耐压、高效率与高可靠性的特点，STU5N95K5非常适用于对功率密度和能效有严苛要求的离线式开关电源（SMPS），如服务器电源、PC电源的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑。同时，它也是LED驱动电源、工业电机驱动辅助电源以及家用电器中高压功率转换部分的理想选择。其稳健的性能使其能够在这些应用中实现更小的散热器尺寸、更高的系统功率密度以及更长的使用寿命。

• 制造商产品型号：STU5N95K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 950V 3.5A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：950V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：220pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
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STU5N95K5是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件专为高电压、高效率的开关应用而设计，其核心优势在于结合了950V的高漏源电压（Vdss）与优化的动态特性。

其技术参数突出表现为低损耗：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2.5Ω @ 1.5A，同时栅极电荷（Qg）典型值低至12.5nC。这一组合确保了在导通和开关过程中均能实现优异的能效。器件采用I-PAK通孔封装，额定连续漏极电流（Id）为3.5A（Tc），最大功率耗散70W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，为设计高可靠性电源系统提供了坚实的基础。