STL4N80K5

STL4N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和工艺制程，在确保高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心设计目标是在高压应用中实现更低的传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和浪涌冲击，提供了充裕的设计余量。在导通特性方面，其在10V驱动电压下，导通电阻典型值表现优异，有助于减少导通状态下的功率耗散。同时，其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）经过精心优化，这使得它在开关过程中具有更快的切换速度和更低的驱动损耗，有利于在高频开关电源设计中提升效率并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数上，STL4N80K5在25°C壳温下可连续通过2.5A的漏极电流，最大功耗为38W。其栅极阈值电压（V_GS(th)）设计合理，确保了良好的噪声免疫性和可靠的导通与关断控制。器件支持高达±30V的栅源电压，为驱动电路提供了灵活性。其采用表面贴装型的PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其底部裸露的散热焊盘能有效将芯片产生的热量传导至PCB，从而在空间受限的应用中实现更高的功率密度。用户可以通过官方授权的ST代理商获取完整的技术支持与供应链服务。

得益于其高压、低损耗及紧凑封装的特点，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的场合。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和主开关、LED照明驱动、工业电机控制辅助电源以及家用电器中的功率转换模块。在这些场景中，它能够帮助设计工程师实现更小体积、更高能效的电源解决方案。

• 型号:STL4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL4N80K5是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的漏源电压（V_DSS）额定值与经过优化的动态特性，旨在为高压开关应用提供卓越的效能。

其技术参数针对降低损耗进行了深度优化，在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，同时栅极电荷（Q_g）与输入电容（C_iss）也维持在较低水平，这共同促成了更快的开关速度和更低的开关损耗。2.5A的连续漏极电流能力和表面贴装设计，使其成为追求高功率密度和高效率设计的理想选择，尤其适用于紧凑型开关电源和功率转换系统。