STF3HNK90Z

STF3HNK90Z是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在高压、高功率密度与开关性能之间取得了卓越的平衡。其核心设计旨在显著降低导通电阻与栅极电荷的乘积（Rds(on) * Qg），这是衡量高压MOSFET开关效率的关键品质因数（FOM），从而在硬开关和软开关拓扑中都能有效降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体能效。

该器件具备多项突出的电气特性。其800V的高漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，使其能够从容应对工业电源、电机驱动等应用中常见的电压尖峰和浪涌，确保系统在恶劣电气环境下的长期可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、1.5A漏极电流条件下的导通电阻典型值仅为4.2欧姆，结合仅35nC的低栅极总电荷（Qg @ 10V），意味着它既能实现较低的传导损耗，又能支持较高的开关频率，有助于减小磁性元件的体积和成本。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全范围。

在封装与热管理方面，STF3HNK90Z采用TO-220FP封装，这是一种经典的绝缘型通孔封装。其塑封体与内部金属支架之间具有电气隔离，允许器件在无需额外绝缘垫片的情况下直接安装在散热器上，简化了装配流程并改善了热传导路径。该封装支持高达25W（Tc=25°C）的功率耗散能力，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应苛刻的环境温度条件。客户可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品的技术支持和供货信息。

凭借其高压、低损耗和坚固的封装特性，该MOSFET非常适用于要求高可靠性和高效率的离线式开关电源（SMPS），如PC电源、服务器电源和工业电源的PFC（功率因数校正）级及主开关拓扑。同时，它在电子镇流器、UPS（不间断电源）的功率转换部分，以及小功率电机驱动、继电器替代等应用中也是理想的选择。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计的维护、升级或特定长生命周期项目中，它依然是一个经过市场验证的可靠解决方案。

• 型号:STF3HNK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF3HNK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）和3A连续漏极电流（Id），专为应对高压、高可靠性应用场景而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.2欧姆（@1.5A），同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为35nC，这种低Rds(on)与低Qg的组合有效优化了开关损耗与导通损耗，提升了电源系统的整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，并具备25W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。