STF13N60M2

STF13N60M2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的快速开关特性和坚固性。这种设计理念使得该器件在效率和热管理方面表现出色，成为要求严苛的功率转换场景中的可靠选择。

该MOSFET具备一系列突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源前级、功率因数校正（PFC）电路等高压环境。在导通特性上，其最大导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、5.5A电流条件下仅为380毫欧，这意味着在导通期间产生的传导损耗极低，有助于提升系统整体能效。此外，较低的栅极电荷（Qg，最大值17nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值580pF @ 100V）是其另一大亮点，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关电源设计，可以有效减小磁性元件的体积和成本。

在接口与参数方面，STF13N60M2采用标准的TO-220FP通孔封装，便于安装和散热。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时可达11A，最大允许栅源电压（Vgs）为±25V，提供了宽裕的驱动安全裕度。阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。器件支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）范围，最大功率耗散为25W（Tc），展现了强大的鲁棒性和环境适应性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能参数，STF13N60M2非常适用于多种中高功率应用场景。它是开关模式电源（SMPS）、服务器和电信设备电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等产品的理想功率开关元件。其优异的效率与开关特性，使其在追求高功率密度和高可靠性的现代电力电子设计中占据重要地位。

• 型号:STF13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压、高效率的开关应用，其核心优势在于600V的漏源电压（Vdss）与低至380毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这有效降低了导通损耗，提升了电源转换效率。

此外，该MOSFET具备极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这赋予了其优异的快速开关能力，有助于实现更高频率的电源设计，从而缩小系统尺寸。器件采用TO-220FP封装，在25°C壳温下可支持11A的连续漏极电流，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于工业电源、PFC电路及电机控制等领域。