STP260N6F6

STP260N6F6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI和DeepGATE技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能。其核心设计通过精细的单元布局和沟槽栅极结构，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时有效控制了寄生电容，为高效率功率转换奠定了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻与高电流处理能力的结合。在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻仅为3毫欧（测试条件为60A，25°C），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下高达120A，最大功率耗散能力为300W，展现了强大的功率处理与散热潜力。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关应用的性能。

在电气参数方面，STP260N6F6具备60V的漏源击穿电压（V_DSS），提供了充足的电压裕量以应对线路浪涌。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，确保了驱动的鲁棒性。阈值电压（V_GS(th)）设计适中，兼顾了抗干扰能力和易驱动性。器件采用标准的TO-220通孔封装，便于安装散热器，其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）保证了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借上述特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场合。其主要应用场景包括大电流DC-DC转换器、电机驱动控制、不间断电源（UPS）系统以及各类工业电源中的同步整流和开关电路。在这些领域中，其低R_DS(on)特性有助于降低系统温升，而良好的开关特性则有利于提升整体能效和功率密度，是工程师实现高性能、高可靠性电源设计的优选功率开关器件。

• 型号:STP260N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP260N6F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于结合了高电流容量与极低的导通损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为3毫欧（@60A），连续漏极电流（I_D）高达120A，最大功率耗散为300W。

该器件基于STripFET VI和DeepGATE技术，具备60V的漏源电压（V_DSS）和±20V的栅源电压（V_GS）耐受能力。其较低的栅极电荷（Q_g）有助于优化开关性能，宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）则确保了环境适应性。这些参数使其成为高效率、高功率密度电源和电机驱动应用的理想选择。