STB13NM50N-1

STB13NM50N-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色折衷，从而有效降低了传导损耗和开关损耗，提升了整体能效。

该MOSFET的核心特性在于其500V的漏源击穿电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够稳健地应对离线电源中的高压应力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下典型值仅为320毫欧，确保了在导通状态下的低功率耗散。同时，栅极电荷（Qg）低至30nC，结合960pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关特性，有助于提高开关频率并降低驱动电路的负担。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。对于需要技术支持与供应的用户，可以联系ST中国代理获取相关服务。

在封装与可靠性方面，该器件采用通孔安装的I2PAK封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为100W（基于壳温Tc）。结合高达150°C的结温（TJ）额定值，STB13NM50N-1能够在严苛的热环境下稳定工作，满足工业级应用对鲁棒性的要求。这些电气与物理参数的组合，定义了其在功率转换拓扑中的关键性能边界。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动与控制的逆变器模块、以及不同断电源（UPS）和电焊机等设备的功率级设计。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件供应链中，它仍然是一个经过市场验证的关键功率开关解决方案。

• 型号:STB13NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB13NM50N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的电压阻断和电流处理能力。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值为320毫欧，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值30nC）确保了快速的开关速度，有利于提升系统效率和工作频率。器件采用I2PAK通孔封装，最大功耗100W，结温高达150°C，适合要求高可靠性的工业环境。