STW40N20

STW40N20是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247-3通孔封装，其核心设计旨在实现高电压下的高效率与高可靠性。其200V的漏源击穿电压（Vdss）为开关操作提供了充足的安全裕量，而优化的单元结构有效降低了导通电阻与寄生电容，从而在开关速度与导通损耗之间取得了良好平衡。

该MOSFET在25°C壳温（Tc）条件下，能够持续承受高达40A的漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流的典型工作点下，Rds(on)最大值仅为45毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在75nC（@10V），配合适中的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动功率较小，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率潜力。

在电气参数方面，STW40N20的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。其栅源电压可承受±20V的范围，为驱动设计提供了灵活性。器件的最大允许结温（TJ）为150°C，在壳温测量条件下的最大功率耗散为160W，确保了在严苛热环境下的稳定工作。用户可通过正规的ST代理商获取该产品的详细技术资料与库存信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号。

凭借200V/40A的额定规格与优异的开关性能，这款MOSFET非常适用于需要高效功率转换与管理的工业级应用场景。其典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制器中的H桥或半桥功率级、不间断电源（UPS）的逆变模块，以及各类工业电源和功率放大器。TO-247-3封装提供了优异的散热路径，便于通过散热器进行有效热管理，满足中高功率密度设计的需要。

• 型号:STW40N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW40N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件基于STripFET技术，核心规格为200V漏源电压（Vdss）与40A连续漏极电流（Id），适用于中高压、大电流的开关电路。

其性能亮点在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至45毫欧（@20A），能显著降低导通损耗。同时，75nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换并降低驱动需求。该器件设计工作结温范围为-55°C至150°C，最大功率耗散为160W（Tc），具备可靠的工业级鲁棒性。