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M24256-BHRDW6TP的图片

M24256-BHRDW6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24256-BHRDW6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24256-BHRDW6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24256-BHRDW6TP是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的高性能串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS EEPROM技术构建,其核心架构基于一个32K x 8位的存储阵列,通过内部电荷泵电路实现单电源供电下的数据写入与擦除操作,确保了数据存储的可靠性与稳定性。其非易失特性意味着在电源关闭后,所有存储的数据仍能完好保存,为系统关键参数、配置信息或历史记录提供了理想的存储解决方案。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围(1.8V至5.5V)高速IC串行接口上。宽电压兼容性使其能够无缝应用于从低功耗电池供电设备到标准5V逻辑系统的广泛场景,极大地提升了设计的灵活性。其IC接口支持高达1MHz的时钟频率,配合500ns的快速访问时间,能够满足多数主控处理器对非易失存储器的快速读写需求。此外,芯片支持页写操作,单次最多可连续写入64字节,并具有5ms的典型写周期时间,在保证数据完整性的同时优化了写入效率。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST代理获取该产品的技术支持和供货信息。

在接口与关键参数方面,M24256-BHRDW6TP采用标准的双线制IC接口(串行时钟线SCL和串行数据线SDA),支持多达8个不同的器件地址,方便在同一总线上挂载多个存储器。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,确保了在苛刻环境下的稳定运行。芯片采用表面贴装型的8引脚TSSOP封装,体积小巧,适合高密度PCB板设计。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在诸多现有系统和备件市场中仍占有一席之地。

得益于其稳健的性能和通用性,M24256-BHRDW6TP非常适合应用于需要存储中等容量配置数据、校准参数或事件日志的电子系统。典型应用场景包括工业控制模块、智能电表、医疗设备、汽车电子子系统(如车身控制模块)、通信设备以及各类消费电子产品。在这些领域中,它主要承担着保障系统关键数据非易失存储、实现设备个性化配置或记录运行状态的重要角色。

  • 型号:M24256-BHRDW6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:32K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:500 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M24256-BHRDW6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24256-BHRDW6TP是ST意法半导体推出的一款256Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,时钟频率最高可达1MHz,并具备1.8V至5.5V的宽电压供电范围,兼容性强,访问时间仅为500ns。

其核心规格为32K x 8位的组织架构,提供5ms的典型写周期时间,支持页写操作以提升效率。芯片工作温度范围为-40°C至85°C,采用8-TSSOP表面贴装封装,适用于对可靠性和空间有要求的工业及消费类应用。

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