STW40N90K5

STW40N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高阻断电压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和栅极设计，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET具备900V的漏源击穿电压（Vdss），为应对工业环境中的电压尖峰和浪涌提供了充足的裕量。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达40A，支持处理大功率应用。其导通电阻在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下的典型值仅为99毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量，有助于简化散热设计。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在89nC（@10V），结合优化的内部电容特性，有助于实现快速、干净的开关转换，减少开关损耗并提升系统工作频率。

器件采用坚固的TO-247通孔封装，便于安装和散热管理，其最大功率耗散能力在壳温条件下可达446W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了稳健的驱动保护。对于需要高质量正品保障和本地化技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

凭借高电压、大电流、低损耗和快速开关的综合优势，STW40N90K5非常适用于对效率和可靠性要求极高的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器主开关的理想选择，尤其适用于服务器电源、通信基础设施电源和工业电源。此外，在电机驱动、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等新能源领域，该器件也能发挥其高性能与高可靠性的价值。

• 型号:STW40N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW40N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高效能、高可靠性的功率转换应用。

其核心参数包括900V的漏源电压（Vdss）和40A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为99毫欧，以及较低的栅极电荷（89nC @ 10V），这共同确保了较低的导通与开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件采用TO-247封装，最大功耗446W，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级应用的严苛要求。