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M24256-BWDW6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24256-BWDW6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24256-BWDW6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24256-BWDW6TP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的串行EEPROM存储器芯片,采用成熟的浮栅技术实现非易失性数据存储。其内部核心架构基于32K x 8位的存储阵列组织,通过一个高效的片上地址解码器和控制逻辑进行管理。该芯片集成了必要的电荷泵电路,使得在单电源电压供电下即可完成擦写操作,无需外部提供高电压,简化了系统设计。其内部状态机负责协调从接口接收到的指令序列,并精确控制对存储单元的编程和读取时序,确保了数据操作的可靠性与完整性。

该器件通过标准的IC(Inter-Integrated Circuit)两线制串行接口与微控制器或主机处理器通信,最高时钟频率可达1MHz,支持快速的数据传输。其宽电压工作范围(2.5V至5.5V)使其能够灵活适应从低功耗电池供电设备到标准5V系统的各种电源环境。在数据写入方面,芯片支持字节写入和页写入模式,页写缓冲区最高可达64字节,有效提升了多字节连续写入的效率,典型的字节或页写入周期时间为5ms。同时,其访问时间仅为450ns,保证了主机在读取数据时能获得迅速的响应。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取此型号及其相关技术支持。

在电气特性与可靠性方面,M24256-BWDW6TP设计用于承受严苛的工业环境,其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,确保了在绝大多数应用场景下的稳定运行。芯片内置了写保护功能,可通过软件指令或利用专用的写保护引脚(WP)来防止对存储内容的意外或恶意修改,增强了数据安全性。其耐久性指标典型值为400万次写循环,数据保存期限可达100年,这些特性对于需要频繁更新或长期保存关键参数的应用至关重要。

该芯片采用节省空间的8引脚TSSOP表面贴装封装,非常适合高密度PCB板设计。其典型的应用场景极为广泛,包括但不限于需要存储设备配置参数、用户设定、校准数据或事件日志的各类电子系统。例如,在工业自动化控制模块中用于保存PID参数;在智能电表或物联网传感器节点中记录计量数据和设备标识信息;在消费电子产品如电视机顶盒、打印机中存储频道列表或配置信息;以及在汽车电子子系统(符合其温度范围要求)中存储非关键性数据。其高可靠性、易于使用的接口和宽电压兼容性,使其成为众多嵌入式系统中不可或缺的数据存储解决方案。

  • 型号:M24256-BWDW6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:32K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
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M24256-BWDW6TP是意法半导体推出的一款256Kbit(32K x 8)串行EEPROM存储器。该芯片采用标准的IC接口,时钟频率最高支持1MHz,实现了与主控器之间高效、简洁的双线通信。

其核心优势在于2.5V至5.5V的宽工作电压范围以及-40°C至85°C的工业级工作温度,确保了在多样化的电源环境和苛刻的温度条件下都能稳定可靠地工作。芯片提供快速的访问时间(450ns)和标准的写周期(5ms),并支持页写操作以提升效率。

这款采用8-TSSOP表面贴装封装的非易失性存储器,适用于需要可靠存储配置参数、校准数据或运行日志的各类工业控制、消费电子及物联网设备。

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