STL15N60M2-EP

意法半导体推出的STL15N60M2-EP是一款采用先进MDmesh M2-EP技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了快速的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的高压母线环境。在导通性能方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。此外，17nC的低栅极电荷（Q_g）与590pF的输入电容（C_iss）共同确保了快速的开关瞬态，有助于减少开关损耗并允许使用更小、更经济的驱动电路。

在电气参数与物理接口上，STL15N60M2-EP在25°C壳温下可连续通过7A电流，最大栅源电压为±25V，提供了宽裕的驱动安全裕度。其阈值电压（V_GS(th)）设计合理，有助于增强抗干扰能力，防止误触发。器件采用表面贴装型PowerFlat HV（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和低寄生电感，非常适合于高密度PCB布局。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理进行采购与咨询。

基于其高性能与高可靠性，此器件主要面向要求高效率和高功率密度的应用场景。它是开关电源（SMPS）初级侧PFC（功率因数校正）电路和PWM（脉宽调制）转换器中的理想选择，例如服务器电源、通信电源和工业电源。此外，它也适用于照明领域的电子镇流器、电机驱动控制中的逆变器模块以及各类需要高压开关功能的能量转换系统。

• 型号:STL15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:418 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL15N60M2-EP是ST意法半导体MDmesh M2-EP系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装PowerFlat HV封装。该器件设计用于高压环境，其核心优势在于结合了600V的漏源电压（V_DSS）与较低的导通电阻，在10V V_GS下典型R_DS(on)值表现优异，能有效降低功率损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括较低的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss），这有助于实现快速开关并减少驱动损耗。器件在25°C壳温下额定连续漏极电流为7A，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻条件下的稳定运行与长寿命。