STW15NM60N

STW15NM60N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247-3通孔封装，专为高电压、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，旨在实现低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）之间的卓越平衡，这是提升开关电源效率、降低开关损耗的关键。这种设计使得器件在硬开关和软开关拓扑中均能表现出色，为系统设计者提供了更高的灵活性和性能裕度。

在功能特性上，这款MOSFET的额定漏源电压（Vdss）高达600V，确保了其在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压应用中的可靠性与安全性。其导通电阻在典型工作条件下（7A， 10V Vgs）最大值为299毫欧，结合较低的栅极电荷（典型值37nC @ 10V），共同促成了更低的传导损耗和更快的开关速度。驱动电压为标准的10V，便于与主流控制器和驱动IC配合使用。其最大栅源电压（Vgs）为±25V，提供了足够的驱动安全边际。器件的热性能同样出色，在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达125W，结温工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。

从接口与参数来看，该器件采用经典的三引脚TO-247封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于安装在散热器上。其连续漏极电流（Id）在特定管壳温度条件下可达14A，能够处理可观的功率等级。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于简化栅极驱动电路的设计并抑制潜在的振荡问题。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过授权的ST一级代理进行采购，以确保获得原厂正品和全面的技术支持。

STW15NM60N非常适合应用于对效率和可靠性有高要求的工业与消费类电子领域。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明镇流器、电机驱动逆变器以及不同断电源（UPS）系统。在这些应用中，其高耐压、低损耗的特性有助于提升整体系统能效，减少热量产生，从而可能缩小散热器尺寸，优化系统成本与体积。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过市场验证的性能，使其在现有系统的维护或特定设计延续中仍具参考价值。

• 型号:STW15NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW15NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装和先进的MDmesh II技术。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与14A的连续漏极电流（Id）能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的动态与静态性能平衡。导通电阻（Rds(on)）低至299毫欧（@7A，10V），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有助于提升开关频率并降低开关损耗。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及照明系统效率的理想选择。