M24256-DFMC6TG

M24256-DFMC6TG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于先进CMOS工艺的256Kb串行EEPROM存储器。该器件采用高密度浮栅技术设计，其核心架构实现了32K x 8位的存储阵列组织，通过内部集成的高压生成与调节电路，能够在较宽的电源电压范围内完成可靠的擦写操作。其非易失特性确保在断电情况下数据能长期保存，典型数据保持期限可达100年，为系统关键参数配置、运行日志和用户数据提供了坚实的存储基础。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围（1.7V至5.5V）与高速IC串行接口上。宽电压兼容性使其能够无缝应用于从单节电池供电的低功耗便携设备到标准5V系统的广泛场景。其IC接口支持标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）以及高速模式（1MHz），最高时钟频率可达1MHz，确保了高效的数据传输速率。器件支持字节写和页写操作，页写缓冲区高达64字节，配合仅5ms的典型写周期时间，显著提升了多字节数据写入的效率。此外，其访问时间仅为450ns，有助于降低系统访问延迟。

在接口与关键参数方面，M24256-DFMC6TG通过IC两线制接口（串行时钟SCL和串行数据SDA）与微控制器通信，最多支持通过两个地址引脚配置四个不同的器件地址，方便在同一总线上连接多片EEPROM。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准，保证了在严苛环境下的稳定运行。芯片采用8引脚UFDFPN超薄型表面贴装封装，外形紧凑，非常适合空间受限的现代电子设计。对于需要稳定供应链和全面技术支持的项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗与供货可靠的重要途径。

凭借其高可靠性、低功耗和小尺寸封装，M24256-DFMC6TG非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据或事件记录的众多领域。典型应用场景包括工业自动化中的传感器模块数据存储、智能电表参数保存、通信模块的配置信息存储、消费电子中的用户偏好设置，以及汽车电子中的非关键数据记录等。其稳健的设计使其成为工程师在需要可靠非易失存储解决方案时的优先选择之一。

• 型号:M24256-DFMC6TG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-UFDFPN（2x3）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8UFDFPN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:256Kb
• 存储器组织:32K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-UFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-UFDFPN（2x3）
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M24256-DFMC6TG是ST意法半导体生产的一款256Kbit（32K x 8）串行EEPROM存储器。该器件采用非易失性存储技术，通过标准IC接口进行通信，最高支持1MHz的时钟频率，确保了高效的数据读写能力。

其核心优势在于宽广的1.7V至5.5V工作电压范围与-40°C至85°C的工业级工作温度，提供了出色的设计灵活性与环境适应性。同时，器件具备5ms的快速写周期时间，并采用节省空间的8-UFDFN表面贴装封装，非常适合对可靠性、功耗和尺寸有严格要求的嵌入式存储应用。