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M24256-DFMN6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24256-DFMN6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24256-DFMN6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24256-DFMN6TP是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于IC串行接口的高性能EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术构建其非易失存储单元,内部架构集成了256Kb(32K x 8)的存储阵列、高精度电压发生器、智能时序控制逻辑以及完整的IC协议控制器。其设计充分考虑了数据可靠性与系统集成的便捷性,内部集成的地址指针自动递增机制和页写缓冲区,显著提升了连续数据读写的效率,而内置的写保护机制和可编程硬件写保护引脚(WC)则为关键数据提供了额外的安全屏障。

该芯片的核心优势在于其宽电压供电范围(1.7V至5.5V)与高达1MHz的快速时钟频率,这使得它能够无缝兼容从低功耗微控制器到高性能主控芯片的各类数字系统。450ns的快速访问时间仅5ms的字节/页写入周期,确保了数据存取的高效性,满足了实时系统对存储速度的要求。其IC接口支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)和快速模式增强版(1MHz),提供了极大的设计灵活性。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务,确保产品设计的顺利推进与量产稳定。

在电气参数方面,M24256-DFMN6TP展现了出色的环境适应性。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,保证了在苛刻环境下的稳定运行。器件采用节省空间的8引脚SOIC封装,支持表面贴装(SMT)工艺,非常适合高密度PCB板设计。这些特性共同构成了一个高可靠性、易于使用的存储解决方案。

凭借其高集成度、低功耗和强大的接口兼容性,M24256-DFMN6TP广泛应用于需要可靠参数存储、配置信息保存或事件日志记录的领域。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的参数备份、智能电表的数据存储、汽车电子中的模块配置信息、医疗设备的校准数据存储,以及各类消费电子产品如物联网(IoT)设备、智能家居控制器和打印机耗材的身份识别等,是工程师构建稳健数据存储层的理想选择。

  • 型号:M24256-DFMN6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:32K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24256-DFMN6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24256-DFMN6TP是ST意法半导体生产的一款256Kb容量、基于IC接口的串行EEPROM存储器。该器件采用32K x 8的组织结构,支持高达1MHz的通信时钟频率,并具备1.7V至5.5V的宽电压工作范围,能够适配多种供电系统。

其核心特性包括快速的450ns读取访问时间以及高效的5ms字节/页写入周期,确保了数据存取的实时性。器件采用8-SOIC表面贴装封装,工作温度范围为-40°C至85°C,提供了优异的可靠性与环境适应性,适用于对空间和稳定性有严格要求的各类电子系统。

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