STI14NM50N

STI14NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在优化高压开关应用中的导通损耗与开关性能的平衡。其核心架构通过精心设计的单元布局和工艺优化，实现了低栅极电荷与低导通电阻的出色结合，这对于提升系统效率至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其500V的漏源击穿电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）能力，为离线电源和电机驱动等应用提供了充足的电压与电流裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、6A电流条件下典型值仅为320毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，最大27nC的栅极总电荷（Qg）和约816pF的输入电容（Ciss）确保了快速的开关切换，有助于减少开关损耗并提升工作频率。器件采用通孔安装的I2PAK（TO-262）封装，具有良好的机械强度和散热性能，其结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。

在接口与参数方面，STI14NM50N的标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）支持±25V，为栅极驱动电路的设计提供了灵活性。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑替代方案，但仍有库存可供既有系统维护使用，相关库存与技术支持可通过授权的ST代理商进行咨询。

得益于其高压、中电流和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级、DC-DC转换器以及半桥或全桥拓扑结构。此外，在工业领域的电机驱动、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等需要高效能开关解决方案的场合，它也能发挥关键作用。其设计平衡了效率、鲁棒性与成本，是相关高压功率转换应用的经典器件选择之一。

• 型号:STI14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI14NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用通孔I2PAK（TO-262）封装，核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：最大导通电阻（Rds(on)）低至320毫欧（@10V， 6A），有助于最小化导通损耗；同时，较低的栅极电荷（Qg（max） 27nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有利于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等中高功率密度设计的理想选择。