STP7NM80

STP7NM80是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的良好平衡。这种核心架构设计旨在显著降低开关损耗和传导损耗，提升功率转换系统的整体效率，尤其适用于需要高耐压和快速开关的拓扑结构。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达800V，为其在离线式电源和工业环境中提供了宽裕的安全工作裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为6.5A，结合1.05欧姆（典型条件下）的导通电阻，确保了在导通期间能够有效管理功率耗散。其栅极驱动特性经过优化，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了驱动的鲁棒性。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为18nC，输入电容（Ciss）也控制在较低水平，这共同促成了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关噪声并提升频率性能。

在接口与热管理方面，STP7NM80采用经典的TO-220-3通孔封装，便于安装散热器以实现高效的热传导。其最大功率耗散能力为90W（基于壳温），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠性。用户可通过官方ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能记录使其在特定存量市场和替代设计中仍具参考价值。

得益于800V的高耐压和良好的开关特性，这款器件主要面向中高功率的开关电源（SMPS）应用，如工业电源、照明镇流器以及电机驱动辅助电源。它也非常适用于需要高压侧开关的拓扑，例如功率因数校正（PFC）电路和反激式转换器，在这些场景中，其低栅极电荷有助于提升高频下的效率，而高耐压则确保了系统在电压波动时的稳定运行。

• 型号:STP7NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP7NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220-3封装。其核心优势在于800V的漏源击穿电压（Vdss）与6.5A的连续漏极电流（Id）额定值，为离线电源应用提供了坚实的电压耐受基础。

该器件基于MDmesh技术，实现了1.05欧姆的低导通电阻（Rds(on)）与仅18nC的低栅极电荷（Qg），这一组合有效优化了传导损耗与开关损耗的平衡。其设计支持10V标准驱动，开关性能高效，适用于要求高可靠性与能效的功率转换场景。