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M24M01-DWMN3TP/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24M01-DWMN3TP/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24M01-DWMN3TP/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24M01-DWMN3TP/K是一款由ST意法半导体推出的高可靠性、大容量串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的浮栅技术非易失性存储单元,其核心架构基于128K x 8位的存储阵列组织,通过内部精密的电荷泵和灵敏放大器实现数据的可靠写入与高速读取。其设计充分考虑了数据完整性与长期保存需求,内置的纠错机制和写保护功能确保了在复杂电磁环境及宽温范围内的稳定运行。

该芯片集成了多项先进功能特性,其1MHz的高速IC串行接口显著提升了数据传输效率,支持标准模式、快速模式和高速模式,为主控制器提供了灵活的通信选择。得益于其宽电压供电范围(2.5V至5.5V),该器件能够无缝兼容多种逻辑电平系统,简化了电源设计。尤为突出的是其极短的访问时间(450ns)和确定的页写周期(4ms),这为需要频繁、快速更新数据的实时系统提供了关键性能保障。其存储单元支持高达100万次的擦写循环,数据保存期限超过40年,展现了卓越的耐用性与可靠性。

在接口与电气参数方面,M24M01-DWMN3TP/K严格遵循IC总线协议,支持器件地址选择,便于在同一总线上扩展多片存储器。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,并符合AEC-Q100汽车级标准,这使其能够应对极端环境挑战。芯片采用紧凑的8引脚SOIC封装,适合空间受限的表面贴装应用。用户可通过正规的ST授权代理渠道获取该产品,确保获得原厂技术支持与质量保证。

凭借其高可靠性、大容量和宽温特性,该芯片非常适用于对数据存储有严苛要求的领域。在汽车电子中,它常用于存储车辆配置参数、事件记录数据或传感器校准信息。在工业控制领域,它可为PLC、智能仪表提供关键参数的非易失性存储解决方案。此外,在通信设备、消费电子及医疗设备中,它也能可靠地保存系统固件、用户设置或运行日志,是构建稳健嵌入式系统的理想存储组件。

  • 型号:M24M01-DWMN3TP/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:1Mb
  • 存储器组织:128K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24M01-DWMN3TP/K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24M01-DWMN3TP/K是ST意法半导体推出的一款1Mb(128K x 8)容量的串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,支持高达1MHz的时钟频率,并具备450ns的快速访问时间,能够满足对数据传输速率有较高要求的应用场景。

其工作电压范围宽达2.5V至5.5V,兼容性强。产品符合AEC-Q100汽车级标准,工作温度范围为-40°C至125°C,确保了在恶劣环境下的高可靠性与数据完整性,页写周期时间为4ms。该芯片采用8-SOIC表面贴装封装,适用于汽车电子、工业控制等需要非易失性、高耐用性数据存储的领域。

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