STD5N60DM2

STD5N60DM2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单颗芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一核心架构使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，确保在诸如离线式电源等高压环境中稳定可靠地工作。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3.5A，结合最大仅1.55欧姆的导通电阻（Rds(on)）（测试条件为Vgs=10V， Id=1.75A），意味着在导通期间能够有效控制功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为8.6nC，输入电容（Ciss）也得到良好控制，这共同促成了快速的开关切换能力，有利于提高开关频率并降低驱动电路的损耗。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅极驱动电压（Vgs）范围为±30V，标准驱动电压为10V，阈值电压Vgs(th)最大为5V，确保了良好的噪声抑制能力和易驱动性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为45W（Tc），展现了强大的热性能和鲁棒性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取此型号产品。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，STD5N60DM2非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明系统的电子镇流器以及电机驱动辅助电源等。在这些应用中，它能够帮助设计工程师实现更高的功率密度和更优的能效表现。

• 型号:STD5N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.55 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:375 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5N60DM2是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh DM2技术，封装为表面贴装型DPAK。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和3.5A的连续漏极电流（Id），为高压中等电流应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下最大值仅为1.55欧姆，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值8.6nC）和输入电容确保了快速的开关速度，能有效减少开关损耗并提升系统频率。这些特性使其成为追求高效率电源设计的理想选择。