STGWT28IH125DF

STGWT28IH125DF是ST意法半导体推出的一款高性能沟槽型场截止（Trench Field Stop）IGBT。该器件采用先进的半导体工艺，在单芯片上集成了高速IGBT与优化的反并联二极管，旨在为高电压、高频率开关应用提供卓越的功率处理能力与效率。其核心架构通过优化的沟槽栅设计和场截止层，显著降低了饱和压降（Vce(sat)）和开关损耗，实现了导通损耗与开关速度之间的出色平衡，这对于提升系统整体能效至关重要。

该器件具备多项突出的功能特性。其1250V的高集射极击穿电压与60A的连续集电极电流能力，使其能够从容应对工业电机驱动、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中常见的母线电压波动与负载冲击。在典型工作条件下（Vge=15V, Ic=25A），其最大饱和压降仅为2.5V，这意味着在导通状态下的功耗极低。同时，其关断开关能量被控制在720J，配合128ns的典型关断延迟时间，确保了在数十kHz开关频率下的快速、洁净的开关动作，有效减少了开关过程中的热累积。此外，其标准输入类型与114nC的栅极电荷，使其易于驱动，可与市面上主流IGBT驱动器无缝配合。

在接口与参数方面，STGWT28IH125DF采用坚固可靠的TO-3P（SC-65-3）通孔封装，这种封装形式提供了优异的散热性能和机械强度，其最大功耗能力为375W。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在严苛工业环境下的高可靠性运行。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购与咨询。

基于其高电压、大电流、低损耗与快速开关的综合优势，STGWT28IH125DF非常适合于要求严苛的功率转换应用场景。它是三相电机驱动、伺服驱动器和变频器中的理想选择，能够高效驱动交流电机。在新能源领域，它可广泛应用于光伏逆变器的DC-AC升压及逆变环节，以及风力发电的变流系统中。此外，在工业焊接电源、大功率开关电源和UPS的逆变/整流模块中，该器件也能显著提升功率密度和系统效率，是工程师设计下一代高效、紧凑型电力电子设备的可靠功率开关解决方案。

• 型号:STGWT28IH125DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1250V 60A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:720J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:114 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/128ns
• 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
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STGWT28IH125DF是ST意法半导体生产的一款有源、高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用沟槽型场截止技术，核心电气参数突出，具备1250V的集射极击穿电压和60A的连续集电极电流处理能力，脉冲电流可达120A，适用于高电压、大功率的开关电路。

其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在15V栅极电压、25A集电极电流条件下，饱和压降最大值仅为2.5V，有助于降低导通损耗。同时，其关断开关能量为720J，确保了高效的开关操作。器件采用TO-3P通孔封装，最大功耗375W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，为工业级应用提供了坚实的可靠性保障。