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M24256-DRDW6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24256-DRDW6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24256-DRDW6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24256-DRDW6TP是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的高性能EEPROM存储器芯片。该器件采用先进的CMOS技术构建,其核心是一个经过优化的32K x 8位存储阵列,通过内部高效的电荷泵电路和精密的时序控制逻辑,实现了数据的可靠存储与快速访问。其非易失特性确保在断电情况下数据依然能够长期保持,为系统提供了关键参数的存储保障。

该芯片集成了多项增强功能,其宽电压工作范围(1.8V至5.5V)使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台,极大地提升了设计的灵活性。支持高达1MHz的IC总线时钟频率,配合快速的访问时间(典型值450ns),能够满足对数据传输速率有较高要求的应用。其页写操作模式与仅5ms的写周期时间,显著提升了批量数据写入的效率,同时内置的写保护机制和可编程硬件写保护引脚,为存储内容提供了额外的安全层级。

在接口与电气参数方面,M24256-DRDW6TP严格遵循IC串行通信协议,通过简洁的两线(串行时钟SCL和串行数据SDA)接口与主控制器连接,极大节省了系统板空间和微控制器的I/O资源。器件支持高达1MHz的快速模式Plus(Fm+)操作,并向下兼容标准模式与快速模式。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。芯片采用紧凑的8引脚TSSOP表面贴装封装,适合高密度PCB板设计。对于需要稳定供应的项目,可以通过可靠的ST芯片代理获取该产品及相关技术支持。

凭借其高可靠性、低功耗和易于集成的特点,M24256-DRDW6TP非常适合应用于需要存储配置参数、用户设置或运行日志的各类电子系统。典型应用场景包括工业自动化中的传感器数据记录、消费电子产品的参数存储、通信模块的配置信息保存、汽车电子中的子系统控制单元,以及智能电表、医疗设备等对数据非易失性有严格要求的领域。其工业级温度规格使其成为户外设备或工业控制环境中值得信赖的存储解决方案。

  • 型号:M24256-DRDW6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:32K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M24256-DRDW6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24256-DRDW6TP是ST意法半导体推出的一款256Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,支持高达1MHz的通信速率,并具备1.8V至5.5V的宽电压工作范围,兼容性出色。

其核心特性包括32K x 8位的存储结构、5ms的快速写周期时间以及450ns的访问时间,在数据写入效率和读取速度上表现均衡。器件采用8-TSSOP表面贴装封装,工作温度范围为-40°C至85°C,适用于对空间和可靠性有要求的工业及消费类应用。

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