STP21NM50N

作为ST意法半导体MDmesh II系列中的一员，STP21NM50N是一款采用先进垂直DMOS工艺技术构建的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于ST专有的MDmesh（多漏极网格）第二代技术，该技术通过优化单元结构和电荷平衡原理，在硅片内部构建了一个三维的漏极网格。这种设计在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），从而有效改善了器件的导通损耗与开关性能之间的权衡关系，是高压开关应用中的一项关键优势。

该器件在功能上展现出针对高效能功率转换的优化特性。其500V的漏源击穿电压（V_DSS）确保了在离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等应用中的高可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达18A，配合最大仅190毫欧的导通电阻（在9A，10V条件下），意味着在导通期间能够实现更低的功率损耗，直接提升系统整体效率。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值较低，这有助于减少开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动电路。

在电气接口与参数方面，10V的栅极驱动电压即可确保器件完全开启，提供了良好的易驱动性，同时栅源电压（V_GS）最大可承受±25V，增强了抗干扰能力。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，提供了充足的噪声容限。封装采用经典的TO-220AB通孔形式，具有良好的机械强度和散热能力，在配备合适散热器的情况下，最大功率耗散可达140W（T_C=25°C），结温最高可工作至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商进行采购咨询。

凭借其高电压、低导通电阻和高电流处理能力的组合，STP21NM50N非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、不间断电源（UPS）的功率转换部分，以及电机驱动和逆变器中的功率开关单元。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计延续中，它仍然是一个经过市场验证的高性能解决方案。

• 型号:STP21NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP21NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括500V的漏源电压（V_DSS）和18A的连续漏极电流（I_D），专为高压、高功率应用设计。

其技术亮点在于实现了优异的导通电阻与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为190毫欧（@9A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，较低的栅极电荷有助于提升开关速度并减少驱动损耗。这些特性使其成为开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用中追求高效能功率转换的理想选择。