M24256-DRMN8TP/K

M24256-DRMN8TP/K是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款符合AEC-Q100标准的汽车级串行EEPROM存储器。该器件采用成熟的浮栅技术，构建了一个32K x 8位（256Kb）的非易失性存储阵列，数据在掉电后仍可长期保持，为汽车电子及工业控制系统提供了可靠的数据存储解决方案。其核心架构基于高度集成的CMOS工艺，内部集成了高压生成电路、地址解码器、控制逻辑以及数据锁存器，确保了在宽电压范围内稳定工作。

该芯片通过标准的两线制IC串行接口进行通信，最高时钟频率可达1MHz，支持快速数据传输。其宽电压供电范围（1.8V至5.5V）使其能够无缝兼容多种逻辑电平系统，增强了设计的灵活性。在数据写入方面，器件支持字节写入和页写入（最高64字节）两种模式，典型的字或页写入周期时间为5ms，而访问时间仅为450ns，有效提升了系统响应速度。其内置的写保护机制和可编程的写控制（WC）引脚，为关键数据提供了额外的安全保障。

在接口与参数层面，M24256-DRMN8TP/K展现了出色的环境适应性。其工作温度范围覆盖-40°C至105°C，完全满足汽车电子应用的严苛要求。器件采用8引脚SOIC封装，支持表面贴装，便于在空间受限的PCB板上进行高密度布局。对于需要稳定供应的客户，可以通过授权的ST代理商获取原装正品及完整的技术支持。

凭借其高可靠性、宽温操作和符合汽车标准的特性，这款EEPROM非常适合应用于车身控制模块（BCM）、仪表盘、高级驾驶辅助系统（ADAS）传感器数据记录、车载信息娱乐系统以及需要存储校准参数、配置信息或事件日志的各类工业设备中，是要求高耐久性和数据完整性的关键应用的理想选择。

• 型号:M24256-DRMN8TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:256Kb
• 存储器组织:32K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24256-DRMN8TP/K是ST意法半导体生产的一款256Kb容量的串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口，通信速率高达1MHz，并具备1.8V至5.5V的宽电压供电能力，兼容性强。

作为符合AEC-Q100标准的汽车级产品，其工作温度范围为-40°C至105°C，确保了在恶劣环境下的数据存储可靠性。其32K x 8位的组织结构、5ms的写入时间以及表面贴装的8-SOIC封装形式，使其成为汽车电子和工业控制领域中非易失性数据存储的稳健解决方案。