STGD19N40LZ

STGD19N40LZ是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款面向汽车级应用的N沟道绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用先进的沟槽栅场截止技术，在单一芯片上集成了MOSFET的快速开关特性和双极型晶体管的高电流密度、低饱和压降优势。其内部结构经过优化，实现了载流子寿命的精确控制，从而在导通损耗与开关损耗之间取得了出色的平衡，特别适合在中等频率下要求高效率的功率转换场景。

该器件具备多项突出的电气特性。其集电极-发射极击穿电压高达390V，确保了在汽车电子常见的12V或24V系统中拥有充足的电压裕量，提升了系统的可靠性。在导通特性方面，在4.5V栅极驱动电压、10A集电极电流条件下，其饱和压降Vce(on)典型值仅为1.5V，这直接转化为更低的导通损耗和更优的热管理性能。其栅极电荷（Qg）仅为17nC，结合逻辑电平输入（标准5V驱动），意味着可以使用更简单、成本更低的驱动电路，并实现快速的开关切换，有助于提升系统整体效率。

在动态性能参数上，STGD19N40LZ在标准测试条件（300V， 10A， 1kΩ栅极电阻， 5V驱动）下，其开启延迟时间（td(on)）为650ns，关断延迟时间（td(off)）为13.5s。其最大连续集电极电流（Ic）为25A，脉冲电流（Icm）可达40A，最大功耗为125W，展现了强大的电流处理能力。该器件采用表面贴装型TO-252-3（DPak）封装，具有良好的散热性能和PCB空间利用率。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并通过了AEC-Q101认证，完全满足汽车电子对元器件在极端温度、振动及可靠性方面的严苛要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购。

基于其高可靠性、高效率及紧凑的封装，STGD19N40LZ非常适用于需要高边或低边开关的汽车电子系统。典型应用包括燃油泵、水泵、风扇等电机驱动模块，以及DC-DC转换器、车载充电机（OBC）的辅助电源、电磁阀驱动和各类继电器替代方案。它在提升系统能效、减小模块体积和增强环境适应性方面发挥着关键作用，是设计下一代汽车动力总成与车身电子系统的理想功率开关选择。

• 型号:STGD19N40LZ
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 390V 25A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:390 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A
• 功率 - 最大值:125 W
• 开关能量:-
• 输入类型:逻辑
• 栅极电荷:17 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5s
• 测试条件:300V，10A，1 千欧，5V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 想获取STGD19N40LZ的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGD19N40LZ是一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道IGBT，采用DPak（TO-252）表面贴装封装。该器件集成了逻辑电平栅极驱动接口，可由标准5V信号直接控制，简化了驱动电路设计。

其核心电气参数针对汽车环境下的高效功率开关应用进行了优化。器件提供390V的高集射极击穿电压和高达40A的脉冲电流处理能力，确保在12V/24V系统中稳定工作。关键优势在于其低导通损耗，在10A电流下饱和压降仅1.5V，以及仅17nC的低栅极电荷，共同实现了优异的能效表现和快速的开关速度。

宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）与125W的功率耗散能力，使其能够胜任发动机舱等恶劣环境下的持续工作，是汽车电机驱动、辅助电源转换等应用的可靠解决方案。