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L9907

ST图标
电源管理IC - 栅极驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64TQFP
原厂封装:产品封装:64-TQFP
优势价格,L9907的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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L9907的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款面向严苛汽车电子环境设计的功率驱动解决方案,L9907集成了三个独立的半桥栅极驱动器,能够直接驱动六个N沟道功率MOSFET,构成完整的三相电机控制前级。其核心架构基于稳健的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺,将低压逻辑控制、电平转换与高压大电流驱动电路高效集成于单一芯片内。这种设计确保了在5V至54V的宽电源电压范围内,芯片都能提供稳定可靠的驱动性能,同时内部集成的自举二极管和电荷泵电路简化了高压侧供电设计,提升了系统集成度与可靠性。

该器件具备多项针对汽车应用优化的功能特点。极短的35纳秒典型上升与下降时间,有效降低了功率开关管的开关损耗,提升了系统效率并有助于控制电磁干扰(EMI)。其逻辑输入兼容3.3V与5V微控制器标准,阈值设计(VIL=0.8V, VIH=2V)提供了良好的噪声容限,确保在复杂的车载电气环境中信号的稳定传输。全面的保护功能是其另一大亮点,包括欠压锁定(UVLO)、过温关断以及互锁逻辑,能够防止上下桥臂直通,从硬件层面保障了驱动系统的安全运行。对于需要可靠供应链的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取原装正品和技术支持。

在接口与参数方面,L9907采用紧凑的64引脚TQFP表面贴装封装,符合AEC-Q100汽车级质量标准,并能在-40°C至150°C的结温范围内全功能工作。其驱动配置专为三相拓扑优化,每个半桥驱动器均可独立控制,为灵活的多相电机控制或其它功率开关应用提供了基础。虽然原始参数中未明确标注峰值驱动电流,但其快速的开关速度表明其具备驱动中大功率MOSFET或IGBT的能力,具体选型需参考详细数据手册中的驱动能力与目标功率器件的栅极电荷匹配。

得益于其高可靠性、丰富的保护功能和宽温工作范围,L9907非常适用于需要精密控制和高度可靠性的汽车应用场景。它是驱动永磁同步电机(PMSM)、无刷直流电机(BLDC)的理想选择,可广泛应用于电动助力转向(EPS)系统、电子水泵、电子油泵、热管理风扇以及新能源汽车的各类辅驱系统。此外,其灵活的半桥结构也使其可用于需要多路独立高端/低端开关的DC-DC变换器或其它通用逆变器设计中,为工程师提供了一个高性能、高集成度的汽车级功率驱动核心。

  • 制造商产品型号:L9907
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64TQFP
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:托盘
  • 系列:Automotive, AEC-Q100
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:3 相
  • 驱动器数:6
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:5V ~ 54V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,2V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
  • 输入类型:-
  • 高压侧电压-最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):35ns,35ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:64-TQFP
  • 想获取L9907的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

L9907是ST意法半导体推出的一款汽车级(AEC-Q100)三相半桥栅极驱动器IC,采用64-TQFP封装。该器件集成了三个独立半桥的六路驱动器,专为驱动N沟道MOSFET而设计,构成了三相电机驱动系统的核心功率接口。

其工作电压范围宽达5V至54V,兼容3.3V/5V逻辑输入,并具备35ns的典型快速开关特性,有助于提升系统效率并优化EMI性能。芯片内置全面的保护机制,如欠压锁定和互锁防直通,确保在严苛的汽车环境(工作结温高达150°C)下稳定可靠运行,是电动助力转向、热管理泵类驱动等汽车机电一体化应用的理想解决方案。

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