STW27N60M2-EP

STW27N60M2-EP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2-EP技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心在于采用了创新的多外延层和单元结构，有效降低了单位面积的导通损耗，同时通过优化的工艺控制确保了开关过程中电荷特性的稳定性和一致性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的显著特性体现在其优异的静态与动态性能参数上。它具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够可靠地工作在高压离线式电源环境中。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为20A。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、10A漏极电流的测试条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至163毫欧，这一低导通损耗特性直接转化为更低的工作温升和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC @ 10V，结合1320pF @ 100V的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升开关频率并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与可靠性方面，该器件采用工业标准的TO-247-3通孔封装，提供了良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散（Tc）为170W。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±25V，提供了充足的驱动安全裕量。阈值电压Vgs(th)最大值为4.75V，确保了良好的噪声抑制能力。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足严苛环境下的应用需求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高压、低阻、快速开关的特性组合，STW27N60M2-EP非常适用于对效率和可靠性要求极高的功率电子应用。典型应用场景包括服务器和电信设备的开关模式电源（SMPS），尤其是PFC（功率因数校正）和DC-DC转换级。它也适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊机等设备中的高频功率开关电路，是实现高功率密度和高效能电源解决方案的关键元件。

• 型号:STW27N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:163 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW27N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），专为高压、高功率应用设计。

其技术优势主要体现在优化的动态与静态特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至163毫欧（@10A），有效降低了导通损耗。同时，最大33nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升系统工作效率并降低电磁干扰。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的开关电源与功率转换系统的理想选择。