STW14NM50FD

STW14NM50FD是ST意法半导体基于其先进的FDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过精密的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻与高开关速度之间的出色平衡。其核心架构旨在最小化寄生电容，特别是栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于提升高频开关应用中的效率至关重要。

该器件具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id）能力，为高压环境下的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、6A电流条件下典型值仅为400毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（典型值12nC @ 10V）意味着驱动电路所需的能量更少，这不仅简化了驱动设计，也显著提升了开关速度，减少了开关损耗。其工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了在严苛温度环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购咨询。

在接口与参数方面，STW14NM50FD采用标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散可达160W（Tc）。器件栅极允许的电压范围（Vgs）为±30V，提供了足够的驱动裕量。其输入电容（Ciss）在25V条件下最大为1000pF，结合低Qg特性，共同构成了其快速开关的电气基础。这些参数共同定义了一款适用于高效率、高可靠性电源设计的功率开关元件。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，STW14NM50FD非常适用于开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器、电机驱动控制器以及工业照明（如HID灯电子镇流器）等应用场景。在这些领域中，它能够帮助系统实现更高的功率密度和整体能效，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能表现仍代表了FDmesh系列在高压功率管理方面的技术水准。

• 型号:STW14NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW14NM50FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的耐压和载流基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至400毫欧（@6A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，典型值12nC）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统开关频率并降低开关损耗。这些特性使其成为追求高效率的开关电源、电机驱动和功率转换系统的理想选择。