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BYV52PI-200RG的图片

BYV52PI-200RG

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE ARRAY GP 200V 30A TOP-3I
原厂封装:封装:TOP-3I
优势价格,BYV52PI-200RG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BYV52PI-200RG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BYV52PI-200RG是ST意法半导体推出的一款高性能通用整流二极管阵列,采用紧凑的TO-3P绝缘封装,集成了两个共阴极配置的标准二极管。其核心架构基于优化的快速恢复结技术,旨在实现低正向压降与快速开关特性的平衡。该器件内部的两个二极管共享一个阴极引脚,这种集成设计不仅简化了电路布局,减少了外部连接点,还提升了在紧凑空间内的散热效率和电气连接的可靠性,尤其适合需要双二极管整流的拓扑结构。

该器件的功能特点突出体现在其电气性能上。它具备200V的最大直流反向电压每二极管30A的平均整流电流能力,提供了稳健的耐压和高电流处理水平。在20A的测试条件下,其正向压降仅为850mV,这有助于降低导通损耗,提升整体能效。更为关键的是其快速恢复特性,反向恢复时间典型值低至50ns,并且定义了在大于200mA的电流条件下,恢复速度属于快速恢复(≤ 500ns)范畴。这一特性使其能够有效抑制开关过程中的电压尖峰和反向恢复电流,减少开关损耗和电磁干扰,适用于对开关速度有要求的场合。同时,在200V反向电压下,其反向漏电流仅为25A,展现了良好的关断特性。其工作结温范围覆盖-40°C至150°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。用户可以通过ST授权代理获取该产品的技术支持和供货信息。

在接口与参数方面,BYV52PI-200RG采用通孔安装的TO-3P绝缘封装。这种封装自带绝缘垫片,允许器件直接安装在散热器上而无需额外的绝缘处理,简化了装配流程并增强了散热性能。其引脚定义清晰,共阴极的设计使得在电路中使用时,两个二极管的阳极可以独立连接,为电路设计提供了灵活性。结合其200V的耐压、30A的电流能力以及快速的恢复速度,这些参数共同定义了其在功率电子领域的适用边界。

基于上述技术特性,BYV52PI-200RG非常适合应用于需要高效率和高可靠性的功率整流与续流场景。典型的应用领域包括开关模式电源(SMPS)的次级侧整流、电机驱动电路中的续流二极管、不间断电源(UPS)以及工业逆变器等。其快速恢复能力使其在频率较高的PWM电路中表现优异,能够有效提升电源的转换效率和功率密度。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在存量设备维护或特定设计方案中仍具有参考价值。

  • 型号:BYV52PI-200RG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TOP-3I
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARRAY GP 200V 30A TOP-3I
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 20 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):50 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 A @ 200 V
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TOP-3 绝缘
  • 供应商器件封装:TOP-3I
  • 想获取BYV52PI-200RG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BYV52PI-200RG是ST意法半导体生产的一款通用整流二极管阵列,采用TO-3P绝缘封装,内部集成一对共阴极配置的标准二极管。该器件核心卖点在于其平衡的高电流处理能力与快速开关性能,提供200V的最大反向耐压,每二极管可承受30A的平均整流电流。

其技术优势体现在较低的正向压降(850mV @ 20A)和极短的反向恢复时间(典型值50ns),这能显著降低导通与开关损耗,提升系统效率并减少电磁干扰。宽泛的工作结温范围(-40°C ~ 150°C)确保了其在恶劣环境下的可靠性,使其适用于开关电源、电机驱动等对效率和速度有要求的功率电子应用。

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