STN2NE10L

STN2NE10L是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺制造，在紧凑的SOT-223封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。其核心设计旨在优化导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的乘积，这一关键指标直接关系到开关应用中的效率与损耗，使其在需要快速开关和高效能转换的电路中表现出色。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（V_DSS）和1.8A的连续漏极电流（I_D）能力，为其在中等电压和电流应用场景中提供了可靠的操作余量。其导通电阻在10V栅源驱动电压（V_GS）和1A漏极电流条件下典型值仅为400毫欧，确保了较低的导通损耗。同时，最大栅极电荷（Q_g）低至14nC（@5V），结合345pF的输入电容（C_iss），意味着驱动电路的设计可以更为简化，开关速度更快，开关损耗得以有效控制。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为3V，与标准的5V或3.3V逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。

在接口与参数方面，该器件支持高达±20V的栅源电压，为驱动设计提供了充足的保护空间。其采用表面贴装型SOT-223封装，不仅节省了PCB空间，而且封装本身具有良好的散热特性，在管壳温度（T_C）下最大功耗可达2.5W，结合高达150°C的结温（T_J），保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关的技术支持和产品信息。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其经典的设计和稳定的性能使其在特定的存量或维护项目中仍有应用价值。其典型的应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、低压电机驱动控制、电源管理模块中的负载开关，以及各类需要高效功率切换的消费电子和工业控制设备。其平衡的性能参数使其成为早期设计中追求性价比和可靠性的一个经典选择。

• 型号:STN2NE10L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:345 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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STN2NE10L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用SOT-223表面贴装封装，核心电气规格包括100V的漏源电压（V_dss）与1.8A的连续漏极电流（I_d）承载能力。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为400毫欧（@1A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_g，最大值14nC @5V）和输入电容（C_iss）确保了快速的开关特性，有利于提升开关电源等应用的效率。器件兼容逻辑电平驱动，最大结温为150°C，提供了可靠的工作范围。