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VNS1NV04的图片

VNS1NV04

ST图标
配电开关,负载驱动器芯片
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:MOSFET N-CH 40V 1.7A 8-SOIC
原厂封装:8-SOIC
优势价格,VNS1NV04的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNS1NV04的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNS1NV04是意法半导体(STMicroelectronics)推出的OMNIFET II系列智能功率开关产品,隶属于其先进的VIPower技术平台。该器件采用单片集成设计,在单颗8-SOIC封装内集成了一个N沟道功率MOSFET及其完整的控制与保护电路。其核心架构基于ST成熟的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺,实现了逻辑控制、驱动与功率输出的高效协同,无需外部电源(Vcc/Vdd)即可工作,显著简化了系统设计。

该器件设计用于通用开关应用,采用低端输出配置,通过一个简单的开/关逻辑接口进行控制,输入信号非反相,易于与微控制器等数字逻辑电路直接连接。其关键特性在于内置了全面的故障保护机制,包括固定阈值的限流保护超温关断以及过压钳位保护。这些保护功能完全由芯片内部管理,无需外部元件干预,极大地提升了系统的可靠性与鲁棒性。其导通电阻(Rds(On))典型值较低,有助于减少导通状态下的功率损耗,提升整体能效。

在电气参数方面,VNS1NV04能够承受高达40V的漏源电压,最小负载工作电压为36V,连续输出电流能力最大为1.7A。其宽广的工作结温范围(-40°C 至 150°C)确保了其在苛刻工业环境下的稳定运行。紧凑的8-SOIC封装提供了良好的功率密度,适合空间受限的应用。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其集成化、高可靠性和易用性,该芯片非常适合驱动各种阻性、感性和容性负载。典型应用场景包括汽车电子系统中的继电器、灯泡、小型电机替代,工业自动化中的电磁阀、小型直流电机控制,以及办公设备和家电中的功率管理模块。它为设计工程师提供了一种将逻辑电平信号安全、高效地转换为受控功率输出的紧凑解决方案。

  • ST意法半导体公司完整型号:VNS1NV04
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 1.7A 8-SOIC
  • 系列:OMNIFET II, VIPower
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:输出:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:36V(最小值)
  • 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):1.7A
  • Rds (On):250 毫欧(最小值)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 想获取VNS1NV04的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNS1NV04是ST意法半导体OMNIFET II系列的一款单通道、低端配置的N沟道智能功率开关。该器件采用8-SOIC封装,集成了功率MOSFET与驱动保护电路,无需外部Vcc电源,通过简单的开/关接口即可控制高达1.7A的负载电流。

其核心优势在于内置的全面保护功能,包括固定限流、超温关断和过压保护,显著提升了系统可靠性。器件支持40V的最大漏源电压,具有低至250毫欧的导通电阻,工作结温范围覆盖-40°C至150°C,适用于要求高鲁棒性的工业与汽车环境。

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