STP130N10F3

作为ST意法半导体STripFET III系列中的一员，STP130N10F3是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。其核心架构基于先进的平面工艺，通过优化单元密度和沟道设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。这种设计哲学旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够在壳温（Tc）为25°C时提供高达120A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其最突出的特性之一是在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为9.6毫欧。极低的导通电阻直接转化为更低的通态压降和发热量，有助于简化散热设计并提高系统可靠性。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为57nC，这一相对较低的数值意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，有利于实现更高频率的开关操作并降低驱动电路的负担。

在电气参数方面，STP130N10F3的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，为驱动电路设计提供了充足的裕量。器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器，其最大功率耗散能力在壳温条件下可达250W。宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST中国代理获取相关服务与产品信息。

凭借其高电流、低导通电阻和稳健的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括中大功率的DC-DC转换器、电机驱动控制器（如电动工具、工业电机）、不间断电源（UPS）系统以及汽车电子中的辅助驱动模块。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和备件替换市场中，它仍然是一个经过验证的、高性能的功率开关解决方案。

• 型号:STP130N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP130N10F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET III产品系列。该器件采用TO-220封装，额定漏源电压为100V，在25°C壳温下可连续通过120A电流，展现出强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动、60A电流条件下，Rds(on)典型值仅为9.6毫欧，能显著降低传导损耗。同时，57nC的最大栅极电荷有助于实现高效的开关性能。这些特性使其成为中大功率开关电源、电机驱动和功率转换应用的理想选择。