STB75NF75T4

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STB75NF75T4是一款采用先进STripFET II技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用D2PAK（TO-263）表面贴装封装，专为高功率密度和高效率应用而设计。其核心架构基于优化的单元结构，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而在给定的芯片尺寸下实现了更高的电流处理能力和更低的传导损耗。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达75V，为开关电源中的次级侧同步整流或电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温（T_C）下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达80A，脉冲电流能力更强，能够承受高浪涌电流的冲击。其导通电阻极低，在10V栅极驱动电压（V_GS）和40A漏极电流条件下，典型值仅为11毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。

在开关性能方面，该器件的栅极总电荷（Q_g）典型值为160nC（@10V），结合其高达±20V的栅源电压耐受能力，使其能够与多种栅极驱动器良好匹配，实现快速、干净的开关切换，有助于降低开关损耗并优化电磁干扰（EMI）性能。其最大结温（T_J）可达175°C，工作温度范围宽至-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其优异的性能参数组合，STB75NF75T4非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括服务器和电信设备的开关电源（SMPS），尤其是用作DC-DC转换器中的同步整流管或主开关管。此外，它在电动工具、工业电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及大电流电池保护电路中也发挥着关键作用，是实现紧凑型、高能效功率解决方案的理想选择。

• 型号:STB75NF75T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB75NF75T4是ST意法半导体STripFET II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK封装。该器件设计用于处理高功率应用，其核心优势在于极低的导通电阻与高电流能力的结合，在10V V_GS下R_DS(on)典型值仅为11毫欧，连续漏极电流高达80A，这显著降低了导通损耗，提升了系统效率。

其75V的漏源电压额定值提供了良好的设计裕度，而160nC的栅极电荷有助于实现快速的开关速度。该MOSFET支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，并采用表面贴装形式，适用于高密度PCB布局，是高可靠性、高效率电源转换和电机驱动方案的优选器件。