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M24C32-RMN6TP的图片

M24C32-RMN6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C32-RMN6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C32-RMN6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C32-RMN6TP是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的32Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术制造,其核心存储单元阵列被组织为4K x 8位的结构,通过一个高度集成的片上控制器进行管理。控制器负责处理所有读写时序、地址递增以及数据完整性校验,其内部集成的升压电路使得在单电源电压下即可完成对EEPROM单元的擦写操作,无需外部提供高压,极大地简化了系统设计。

该芯片的功能特性突出体现在其宽电压工作范围(1.8V至5.5V)高速IC接口(时钟频率最高达1MHz)上。宽电压兼容性使其能够无缝应用于从低功耗电池供电设备到标准5V逻辑系统的广泛场景。其IC接口支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)和快速模式增强版(1MHz),为微控制器提供了灵活高效的数据交换通道。此外,器件支持页写操作,单次最多可连续写入32字节,配合仅5ms的典型写周期时间,有效提升了数据存储效率。其访问时间低至450ns,确保了快速的读取响应。

在接口与关键参数方面,M24C32-RMN6TP严格遵循IC总线协议,通过串行数据线(SDA)和串行时钟线(SCL)与主机通信。芯片内置的写保护功能可通过硬件引脚控制,防止数据被意外篡改。其非易失性存储特性保证了掉电后数据可保存超过200年,耐受至少400万次的擦写周期。器件采用8引脚SOIC封装,支持表面贴装工艺,工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,具备良好的环境适应性。对于需要稳定可靠供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购。

凭借其高可靠性、低功耗和易于集成的特点,M24C32-RMN6TP非常适合应用于需要参数存储、配置信息保存或事件记录的各种电子系统。典型应用场景包括工业控制模块、智能电表、医疗设备、汽车电子(如车身控制模块)、通信设备以及各类消费电子产品,如电视机顶盒、打印机和物联网传感器节点等,是解决中小容量非易失存储需求的经典解决方案。

  • 型号:M24C32-RMN6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:32Kb
  • 存储器组织:4K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C32-RMN6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C32-RMN6TP是ST意法半导体生产的一款32Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,最高通信速率可达1MHz,并支持1.8V至5.5V的宽范围供电电压,兼容性强,设计灵活。

其核心参数包括4K x 8位的存储结构、5ms的快速页写周期以及450ns的访问时间,确保了高效可靠的数据存取。芯片采用8-SOIC表面贴装封装,工作温度范围为-40°C至85°C,满足工业级应用对可靠性和环境适应性的严苛要求。

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