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M24C02-DRMF3TG/K的图片

M24C02-DRMF3TG/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8MLP
原厂封装:封装:8-MLP(2x3)
优势价格,M24C02-DRMF3TG/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C02-DRMF3TG/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体旗下Automotive系列存储器产品线的一员,M24C02-DRMF3TG/K是一款采用先进CMOS技术设计的2Kbit串行EEPROM。其核心架构基于高度可靠的浮栅单元,通过IC两线制串行接口进行通信,内部组织为256 x 8位的存储阵列。该器件严格遵循AEC-Q100标准,确保了在严苛的汽车电子环境下的稳定性和耐久性,其非易失特性保证了在断电情况下数据的安全保存。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压范围与高速操作上。1.8V至5.5V的宽工作电压范围使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种平台,极大提升了设计的灵活性。其IC接口支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)以及高速模式(1MHz),最高时钟频率可达1MHz,配合仅450ns的访问时间,能够满足对数据读写速度有较高要求的应用。在数据写入方面,它支持字节写入和页写入(最大16字节)两种模式,典型的字或页写入周期时间为4ms,在保证数据可靠性的同时提供了高效的存储管理。

在接口与关键参数层面,M24C02-DRMF3TG/K通过SDA(串行数据)和SCL(串行时钟)两根线与主控制器通信,内置的写保护功能可通过硬件引脚进行控制。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,完全满足汽车级应用对极端温度环境的要求。器件采用紧凑的8-WFDFN(MLP8)表面贴装封装,适合空间受限的PCB设计。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关服务。

凭借其高可靠性、宽温宽压特性以及小型化封装,该芯片非常适合应用于汽车电子领域,如车身控制模块(BCM)、仪表盘、传感器数据记录、以及需要存储校准参数或事件信息的ECU单元。此外,在工业控制、智能电表、医疗设备和消费类电子产品中,它也是存储配置参数、用户设置或日志信息的理想选择,为系统提供了关键的非易失数据存储解决方案。

  • 型号:M24C02-DRMF3TG/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-MLP(2x3)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8MLP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:2Kb
  • 存储器组织:256 x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:8-MLP(2x3)
  • 想获取M24C02-DRMF3TG/K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C02-DRMF3TG/K是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q100标准的2Kbit串行EEPROM。该器件采用IC接口,支持高达1MHz的通信速率,并具备1.8V至5.5V的宽电压供电范围,确保了其在多种电源环境下的兼容性与稳定性。

其核心优势在于汽车级的可靠性,工作温度范围达-40°C至125°C,并采用8-WFDFN小型化封装。256 x 8位的存储结构、4ms的写入时间以及非易失特性,使其成为存储关键配置、校准数据或事件日志的高效、可靠解决方案,尤其适用于对耐久性和环境适应性要求严苛的汽车电子及工业应用场景。

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