STW29NK50Z

STW29NK50Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-247-3封装，其核心设计旨在优化高压开关应用中的性能表现，通过先进的单元结构和工艺技术，在阻断电压与导通电阻之间实现了出色的平衡。

该芯片的漏源击穿电压（Vdss）高达500V，使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达31A，配合最大仅130毫欧的导通电阻（Rds(on)）（测试条件为Vgs=10V， Id=15.5A），有效降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，而栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为4.5V，确保了驱动的便捷性与可靠性。

在动态特性方面，最大栅极电荷（Qg）为266nC，结合6110pF的输入电容（Ciss），为开关速度与驱动电路设计提供了明确的参数依据，有助于工程师在开关损耗与电磁干扰（EMI）之间做出最优权衡。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±30V，提供了充足的驱动安全裕量。其强大的散热能力同样值得关注，在壳温条件下最大功率耗散可达350W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠货源与技术支持的设计项目，可以咨询专业的ST一级代理以获取更详细的产品与库存信息。

综合其高耐压、低导通电阻及稳健的封装特性，STW29NK50Z非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及不同断电源（UPS）和焊接设备等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的性能参数与可靠性考量，对于理解同类高压MOSFET的选型与评估仍具有重要的参考价值。

• 型号:STW29NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 15.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW29NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和31A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为130毫欧，这能显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，266nC的栅极电荷（Qg）和350W（Tc）的功率耗散能力，平衡了开关速度与热管理需求，使其适用于对能效和可靠性要求较高的功率开关场景。