STP8NM50

STP8NM50是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一硅片上实现了高压承受能力与低导通电阻的优化平衡。其核心在于多外延层与独特的单元布局，通过降低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），显著改善了开关性能，尤其适用于硬开关和软开关拓扑结构，有效降低了开关损耗和电磁干扰（EMI）。

该MOSFET的突出特性在于其550V的漏源击穿电压（Vdss）与低至800毫欧的导通电阻（Rds(on)）。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）可达8A，最大功率耗散为100W。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极电荷（Qg）典型值仅为13nC（@10V），这有助于简化驱动电路设计并提升系统效率。同时，其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，增强了应用的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

在电气参数方面，STP8NM50展现了良好的温度特性，其工作结温（Tj）范围为-65°C至150°C。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大值为415pF，结合较低的Qg值，共同决定了其快速的开关瞬态响应能力。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上以实现高效的热管理。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，该器件主要面向离线式开关电源（SMPS）的功率级，如功率因数校正（PFC）电路、直流-直流转换器以及电机驱动和照明镇流器等应用场景。它在要求高效率和高功率密度的设计中能够发挥关键作用，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备和备件市场中仍具有重要的应用价值。

• 型号:STP8NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP8NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其550V的高漏源电压（Vdss）与低导通电阻（Rds(on)）特性，在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为800毫欧（@2.5A），同时连续漏极电流（Id）可达8A，为高压开关应用提供了高效的功率处理能力。

其技术亮点还包括优化的动态参数，如最大栅极电荷（Qg）低至13nC（@10V），这有助于降低开关损耗并提升系统整体效率。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功率耗散为100W（Tc），工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。