M24C02-DRMN3TP/K

M24C02-DRMN3TP/K 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款符合AEC-Q100标准的汽车级串行EEPROM存储器。该器件采用成熟的浮栅技术制造，构成了一个非易失性的存储阵列，其核心是一个组织为256 x 8位的存储矩阵，总容量为2Kb。数据在掉电后仍能长期保持，确保了关键配置参数和历史数据的可靠性。其内部集成了地址解码器、控制逻辑和高电压生成电路，能够在单芯片内完成完整的编程和擦除操作，无需外部高压支持，简化了系统设计。

该芯片的功能设计充分考虑了工业与汽车电子应用的严苛需求。它支持标准的IC两线串行接口，时钟频率最高可达1MHz，实现了快速的数据传输。其工作电压范围极为宽泛，从1.8V至5.5V均可稳定运行，这使其能够无缝兼容多种逻辑电平，并适应电池供电系统中常见的电压波动。写周期时间（字或页）典型值为4ms，访问时间仅为450ns，在保证数据写入可靠性的同时，提供了高效的读取性能。器件内置了写保护功能，可通过软件或硬件引脚进行配置，防止数据被意外篡改。

在接口与参数方面，M24C02-DRMN3TP/K提供了高度灵活性和鲁棒性。其IC接口支持多达三个设备地址选择引脚，允许在同一总线上挂接多个EEPROM器件。全系列工作温度范围覆盖-40°C至125°C，完全满足汽车级应用对极端环境适应性的要求。器件采用表面贴装型的8引脚SOIC封装，支持卷带（TR）和剪切带（CT）包装，便于自动化生产。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购，确保产品的正宗与供货保障。

凭借其可靠的非易失存储、宽电压适应能力和宽温工作特性，这款EEPROM非常适合应用于需要存储校准数据、用户设置或事件日志的场合。典型应用场景包括汽车电子系统中的车身控制模块（BCM）、仪表盘、传感器数据记录，以及工业控制、智能电表、医疗设备和消费类电子产品。其小型化的封装和低功耗特性，也使其成为空间受限的便携式设备的理想选择。

• 型号:M24C02-DRMN3TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:2Kb
• 存储器组织:256 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C02-DRMN3TP/K 是ST意法半导体生产的一款2Kb容量串行EEPROM存储器，采用IC接口，最高时钟频率1MHz。该器件属于符合AEC-Q100标准的汽车级产品系列，确保了在严苛环境下的高可靠性。

其核心优势在于宽泛的1.8V至5.5V工作电压范围和-40°C至125°C的扩展工作温度，使其能适应从消费电子到汽车电子的多种应用场景。器件提供450ns的快速访问时间和4ms的写周期时间，并采用8-SOIC表面贴装封装，支持自动化贴装生产。