M24C04-DRDW8TP/K

M24C04-DRDW8TP/K是一款由ST意法半导体推出的4Kb串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的浮栅技术EEPROM单元作为其核心存储架构，这种非易失性存储技术确保了在断电情况下数据依然能够被长期、可靠地保存。其内部组织为512 x 8位结构，通过高效的内部电荷泵电路，实现了在单电源电压供电下的字节和页写入操作，无需额外的高压编程电源，简化了系统设计。

该芯片集成了多项旨在提升可靠性和易用性的功能特性。它支持标准的IC两线串行接口，最高时钟频率可达1MHz，实现了高速数据传输。其宽电压供电范围1.8V至5.5V使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台，增强了设计的灵活性。在数据保护方面，提供了可编程的写保护功能，并具备识别和防止误写的机制。其页写入模式允许在一次操作中连续写入多达16字节的数据，配合典型仅4ms的写入周期时间，有效提升了整体数据吞吐效率，访问时间仅为450ns。

在接口与关键参数层面，该器件严格遵循IC协议，支持高达400kHz和1MHz两种速度模式，并内置了从设备地址引脚，允许在同一总线上连接多个同类器件。其工作温度范围覆盖-40°C至105°C，并且属于Automotive, AEC-Q100认证系列，这表明它经过了严格的汽车级可靠性测试，能够满足严苛环境下的稳定运行要求。芯片采用8引脚TSSOP表面贴装封装，适合高密度PCB板设计。对于需要确保供应链稳定和产品原装品质的客户，通过ST授权代理进行采购是可靠的选择。

凭借其高可靠性、宽电压兼容性和汽车级品质，M24C04-DRDW8TP/K非常适合应用于对环境适应性和数据持久性有高要求的领域。典型应用场景包括汽车电子系统中的传感器数据记录、车身控制模块配置存储、仪表盘信息存储等。此外，在工业控制、智能电表、医疗设备、通信模块以及各类消费电子产品中，它常被用于存储设备参数、用户设置、校准数据或事件日志，是系统设计中关键的非易失性存储解决方案。

• 型号:M24C04-DRDW8TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:4Kb
• 存储器组织:512 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
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M24C04-DRDW8TP/K是ST意法半导体推出的一款4Kb（512 x 8）容量串行EEPROM存储器。该器件采用非易失性EEPROM技术，通过标准IC接口进行通信，最高支持1MHz时钟频率，确保了高效的数据读写能力。

其核心优势在于宽泛的1.8V至5.5V单电源工作电压范围，以及-40°C至105°C的扩展工业级（符合AEC-Q100标准）工作温度范围，这使其能够适应从消费电子到汽车电子的多种严苛应用环境。器件提供快速的页写入模式和典型的4ms写入周期，并采用节省空间的8-TSSOP封装。