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M24C08-DRMF3TG/K的图片

M24C08-DRMF3TG/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8MLP
原厂封装:封装:8-MLP(2x3)
优势价格,M24C08-DRMF3TG/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C08-DRMF3TG/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C08-DRMF3TG/K是一款由ST意法半导体推出的8Kb串行EEPROM存储器芯片,采用先进的CMOS技术制造。该器件内部采用经过优化的存储单元阵列和外围控制逻辑电路,其核心架构基于一个1K x 8位的存储矩阵,通过一个高度集成的IC串行接口控制器进行访问和管理。这种设计确保了在宽电压范围内数据读写的稳定性和可靠性,同时内部集成的地址寄存器和数据缓冲区支持高效的页写操作。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围(1.7V至5.5V)扩展的工业级工作温度(-40°C至125°C)上,这使其能够适应从低功耗便携设备到严苛汽车电子环境的各种应用需求。其IC接口兼容标准模式(100kHz)和快速模式(400kHz),并支持高达1MHz的高速模式,为系统提供了灵活的数据传输速率选择。此外,器件具备硬件写保护功能,通过将WC引脚置为高电平,可以锁定整个存储器阵列,防止意外写入,从而增强了数据的安全性。

在接口与关键参数方面,450ns的快速访问时间4ms的典型字节/页写周期,平衡了读写速度与功耗。其8Kb(1024字节)的容量以页结构组织,支持高达16字节的页写操作,显著提升了多字节数据写入的效率。芯片采用节省空间的8引脚MLP(微型引线框架封装)表面贴装封装,符合RoHS标准。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其符合AEC-Q100标准的汽车级认证,M24C08-DRMF3TG/K非常适用于汽车电子系统,如车身控制模块、仪表盘、传感器数据记录和事件记录器(EDR)。同时,其宽压、低功耗的特性也使其成为工业控制、智能电表、医疗设备、消费类电子产品以及需要非易失性存储配置参数的物联网(IoT)节点的理想选择,为系统提供可靠、持久的数据存储解决方案。

  • 型号:M24C08-DRMF3TG/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-MLP(2x3)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8MLP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:8Kb
  • 存储器组织:1K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:8-MLP(2x3)
  • 想获取M24C08-DRMF3TG/K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C08-DRMF3TG/K是ST意法半导体推出的一款8Kb容量串行EEPROM,采用IC接口,最高时钟频率可达1MHz。该器件提供1K x 8位的非易失性存储空间,支持高效的页写操作,典型写周期时间为4ms。

其核心优势在于宽广的1.7V至5.5V工作电压范围和-40°C至125°C的扩展工作温度,并符合AEC-Q100汽车级标准,确保了在严苛环境下的高可靠性。芯片采用8-WFDFN表面贴装封装,兼具小尺寸与高性能,适用于对空间和稳定性有严格要求的应用场景。

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